江苏大学半导体物理第3章.pptxVIP

第三章 半导体中载流子的统计分布 熟练掌握课本中所阐明的基本概念和各种关系，能顺利导出有关重要基本公式，准确计算在各种不同杂质浓度和温度下的费米能级位置和载流子浓度，从而对半导体性质有更深入的理解。一、状态密度、载流子的统计分布二、本征半导体中的载流子浓度三、杂质半导体中的载流子浓度四、简并半导体中的载流子浓度五、小结热平衡状态载流子的产生过程? 价带电子跃迁到导带；? 价带电子跃迁到受主能级；? 施主能级上的电子跃迁到导带；载流子的复合过程? 导带电子跃迁到价带；? 导带电子跃迁到施主能级；? 受主能级上的电子跃迁到价带；? 施主能级上的电子跃迁到受主能级；动态热平衡（载流子的产生速率=载流子的复合速率）? 动态平衡；? 宏观性质保持不变；? 统计平均意义；§3.1 状态密度 基于能带论，半导体的性质及导电能力与电子和空穴的浓度有关，而电子和空穴的浓度与价电子在导带和价带中的占据分布情况密切相关。因此，研究并掌握各种具体条件下载流子浓度分布情况和规律至关重要。本节将首先讨论在热平衡条件下，没有缺陷和杂质的纯净半导体（称为本征半导体）中载流子的分布规律和特征。 在热平衡条件下，半导体中价电子在导带和价带中的分布遵循统计物理规律，及电子填充从低能带开始依次向高能级和高能带填充，并遵循泡利不相容原理。§3.1 状态密度 首先从统计物理规律出发，研究平衡半导体中载流子的分布规律。半导体的载流子（电子和空穴）分别表征导带中的电子和价带中的空穴。因此载流子的浓度分布取决于导带和价带的能级态被电子占据的情况。为此，需要知道：导带或导带底及价带或价带顶附近的能级态分布情况（状态密度g(E)）；电子在这些能级态的占据概率（分布规律f(E)）。§3.1 半导体能带的状态密度 由于电子在能带中的占据和分布需要遵循泡利不相容原理和统计物理规律，因此，要了解电子在半导体导带和价带的占据分布情况，首先要了解和掌握半导体导带和价带中的能级分布情况。 由于能带中的能级态随能量的变化是准连续的，因此，可以在k空间用状态分布函数表示。§3.1 状态密度 在K空间，能量是波矢k的函数，波矢k是准连续分布的。因此，能级状态可以看成是连续分布的，用状态密度来表示。状态密度g(E)的定义 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g(E)为：状态密度的物理意义：在能带中能量允许值E附近单位能量间隔内包含的量子态数。§3.1 状态密度如何计算状态密度计算步骤A)计算单位k空间中的量子态数；?B)计算单位能量范围所对应的k空间体积；?C)计算单位能量范围内的量子态数；?D)求得状态密度。如何计算状态密度A)计算单位k空间中量子态数对于边长为L的立方晶体 任一量子态的坐标沿三个轴方向是均匀分布的(2?/L)，故在k空间中，每体积为8?3/L3=8?3/V的立方体中有一个量子态，即k空间中电子的允许能量状态密度是V/8?3。考虑到电子的自旋，则在k空间中电子的允许能量状态密度是2V/8?3。这时每一个量子态最多只能容纳一个电子。如何计算状态密度B)计算单位能量范围所对应的k空间体积；?C)计算单位能量范围内的量子态数；一、球形等能面情况 假设导带底在k=0处，且则能量E~(E+dE)间的量子态数代入可得如何计算状态密度导带底状态密度：价带顶状态密度：导带底附近，电子能量越高，状态密度越大；价带顶附近，空穴能量越高，状态密度越大。导带底和价带顶的状态密度为0。如何计算状态密度二、实际半导体的状态密度（旋转椭球面）对于实际半导体材料设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得导带底状态密度其中 ，称为导带底电子状态密度有效质量对于Si，导带底有六个对称状态，s=6，mdn=1.08m0；?对于Ge，导带底有八个对称状态，s=4，mdn=0.56m0。同理可得价带顶附近的情况价带顶附近状态密度其中称为价带顶电子状态密度有效质量对于Si，mdp=0.59m0 ;?对于Ge，mdp=0.37m0导带底状态密度：价带顶状态密度： 状态密度gC(E)和gV(E)与能量E有抛物线关系，还与有效质量有关，有效质量大的能带中的状态密度大。§3.2 费米能级和载流子统计分布一、费米（Fermi）分布函数与费米能级费米分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为 其中，k0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级。费米能级的物理意义：化学势，即 当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统的自由能的变化。费米能级EF的特性当T=0K时E若 ，则若