第九篇半导体存储器习题.pptVIP

第九章 习题 * 章目录 9.3 试用ROM阵列图实现下列一组多输出逻辑函数 节目录 首先应将以上三个逻辑函数化成由最小项 组成的标准“与-或”式,即 解: 或 节目录 采用有3位地址、3位数据输出的8字节×3位ROM。将A、B、C 3个变量分别接至地址输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数据,即可在数据输出端D0、D1、 D2得到F1、 F2和F3,其ROM 阵列如下图所示。 节目录 1 1 1 (D1) (D0) F2 F1 A B C 题 9.3 ROM 阵列 (D2) F3 节目录 9.9 试用位扩展方法，将2片256×4位的RAM组成一个256×8位的RAM，画出电路图。 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 CS R/W A A 0 7 L 0 A W / R CS 7 A 256×4（I） CS R/W A A 0 7 L 256×4（Ⅱ） 题9.9 256×4芯片位扩展 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 节目录 9.10 用2114构成2K×8的静态存储器，画出逻辑图。 解：（1）确定芯片数： （2）确定地址线数D （3）用4片1K ×4位2114RAM芯片，经字 位扩展构成的存储电路如图题9.10所示。 2D = 2048，D=11。 Protel 画图示例1/3 ADDR[18..0] ADDR15 ADDR14 ADDR13 ADDR12 ADDR11 ADDR10 ADDR9 ADDR8 ADDR18 ADDR17 ADDR16 ADDR7 ADDR6 ADDR5 ADDR4 ADDR3 ADDR2 ADDR1 ADDR0 Protel 画图示例2/3 EPPD[7..0] EPPD0 EPPD7 EPPD0 EPPD7 Protel 画图示例3/3 CS R/W A1 A7 A[9..0] W / R 2114（1） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 CS R/W A1 A7 2114（2） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 D[7..0] CS R/W A1 A7 A[9..0] W / R 2114（3） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 CS R/W A1 A7 2114（4） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 D[7..0] A10 1 D7 D6 D5 D4 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D3 D2 D1 D0 题9.10 2114构成2K×8图1/8 CS R/W A1 A7 A[9..0] W / R 2114（1） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 CS R/W A1 A7 2114（2） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 D[3..0] CS R/W A1 A7 A[9..0] W / R 2114（3） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 CS R/W A1 A7 2114（4） D0 D1 D2 D3 A6 A5 A3 A2 A4 A0 A9 A8 D[7..4] A10 1 题9.10 2114构成2K×8图2/8 CS R/W A[9..0] W / R 2114（1） D0 … D3 A0 A9 … D[7..0] A10 1 D7 D4 … … CS R/W 2114（2） D0 … D3 A0 A9 … D3 D0 … … CS R/W A[9..0] W / R 2114（3） D0 … D3 A0 A9 … D[7..0] D7 D4 … … CS R/W 2114（4） D0 … D3 A0 A9 … D3 D0 … … 题9.10 2114构成2K×8图3/8 * * * 章目录