电磁场及电磁波第二章电磁学基本理论.ppt

实验证明,qt受到的作用力的大小与自 身所带电量qt成正比,与电荷所处位置的电 场强度（Electric Field Intensity）成 正比，即： 面电荷密度（Charge Area Density）： 体积V内所有电荷在P(r)处所产生的总电场为： 静电场中电场力作的功与路径无关，只取决于始点和终点的位置，所以静电场是保守场，也称位场。 根据式（2.26）得电偶极子在P点 处的电场强度为: 若产生磁通密度的电流不是线电流， 而是体电流分布J(r′)或面电流分布 JS(r′)， 则它们所产生的磁通密度分别为 4.电场高斯定理 应用散度定理， 上式式也可写成 3.推广 （1）无源理想媒质 （2）无源导电媒质 （3）复数形式的麦克斯韦方程组 对时谐场的分析研究有着非常重要的意义。 既满足时变场的基本规律，又不同于一般的复杂时变场； 随时间做任意变化的函数可以通过傅立叶变换将其展开成正弦分量的叠加 所以分析时谐场是分析所有时变电磁场问题 的基础。 时谐场：场源和场矢量的各个坐标分随时间做 简谐变化。 ①时谐电磁场的相量表示法 时谐电磁场的复数形式与正弦稳态电路中的相量法类同。以电场强度为例进行分析： 式中，电场强度各分量为： 以上方法称之为电磁场的瞬时值表示法。 同理： 即： 式中： 称之为时谐电场各坐标分量的复振幅。 磁通连续性原理 称为磁通密度矢量，所以穿过闭合曲面S的磁通量为： 磁通连续性原理积分形式 磁通连续性原理微分形式 4.矢量磁位 磁通连续性原理又称磁场中的高斯定律，表明 穿过一个封闭曲面S的磁通量等于离开这个封闭 曲面S磁通量，换句话说，磁通永远是连续的； 磁场的散度处处为零，说明恒定磁场是无散 场；（在任意媒质中均成立）。 磁场的散度为零，由恒等式 得： 应该可以用一个矢量函数的旋度来表示； 矢量磁位 称为矢量磁位单位为 或 ，一个矢量的性质由其散度和旋度共同决定，所以引入库仑规范条件： 关于 的计算，可参照P50，式2.45～2.47 引入矢量磁位函数可以简化磁场的运算 的方向与 的方向相同； 1.安培环路定理 假设磁场是由真空中一载有电流I的无限长 直导线产生，即由例2-5知： 安培环路与磁力线重合 二、电磁学基本理论 安培环路定理（恒定磁场的情况） 安培环路不交链电流 安培环路与若干根电流交链 安培环路与磁力线不重合 安培环路定理微分形式 综上所述得： 安培环路定理积分形式 该结论适用于其它任何带电体情况（不只是无 限长载流直导线）； 强调：环路方向与电流方向成右手关系，电流 取正，否则取负； 在真空中，磁场强度沿闭合路径的线积分等于 闭合路径所包围电流的代数和； 恒定磁场是有旋场，电流是其漩涡源； 例: 如图所示，一无限长同轴电缆芯线通有均匀分布的电流I，外导体通有均匀的等量反向电流，求各区域的磁感应强度。 解: 根据题意，取圆柱坐标系。 （1） 区域 内导体的电流密度为: 取半径为 r 的圆环为积分回路， 根据安培环路定律: 磁感应强度为: 同理取半径为r 的圆为积分回路，则有: （2） 区域 该区域的磁感应强度为: （3） 区域 外导体的电流密度为: 同理，取半径为r 的圆为积分回路，则有: 可得： （4） 区域 位移电流 麦克斯韦在将恒定磁场中的安培环路定理应用于时变场时出现了矛盾： 同样的系统，同样的回路，在电流交变的情况下，为什么积分结果不同？ 为了解决上述矛盾，麦克斯韦断言：电容器两极板间有另外一种电流存在。其值与传导电流相等。 和 构成闭合曲面： 即： 位移电流密度 A/m2 设想 上有位移电流流过，则： 矛盾解决！ 麦克斯韦位移电流假说的正确性已经被大量实验证明！ 安培环路定理的修正—全电流定理 积分形式 微分形式 全电流定律揭示不仅传导电流激发磁场，变化的电场也可以激发磁场。它与变化的磁场激发电场形成自然界的一个对偶关系。 解：忽略极板的边缘效应和 感应电场 位移电流密度 位移电流 例：已知平板电容器的面积为 S , 相距为 d , 介质的介电常数 ，极板间电压为u(t)。试求位移电流id；传导电流iC与id 的关系是什么? 电场 传导电流与位移电流 传导电流： 关于电流 带电粒子在电场作用下的定向运动； 位移电流： 具有磁效应，可以产生磁场，但与 带电粒子的运动无关。实质是电场 随时间的变化。 2.法拉第电磁感应定律 （1）内容 电磁感应