元件测试键.docVIP

RF 元件測試鍵 RF Device Test key IC 編號：H20-91A-11 指導教授：孟慶宗 中興大學電機研究所教授 電話：04232 傳真：04E-mail: ccmeng@dragon.ee.nchu.edu.tw 設計者：鄒伯均 中興大學碩士班研究生 電話：04609 傳真： 04E-mail: g9064301@mail.nchu.edu.tw一、中文摘要(及關鍵字) 本計劃擬利用Test key來得到HBT主動元件，在利用量測得到高頻雜訊參數和S參數和Load pull參數。在利用這些參數數據作LNA和PA之設計。 二、研究動機與目的 單晶射頻積體電路(RFIC)在提供小面積、高重製性、高穩定性及在大量生產時的低價格方面，給射頻技術一個很好的選擇。而HBT具有足夠高的Ft和較高的崩潰電壓 BV，可以在Noise和Power中抉擇元件的種類。 本次的目的在完成各種不同大小元件的Noise及 Power特性。我們希望在國科會的第一次GCT_HBT製程中了解GCT_HBT元件的Noise和Power的高頻特性，因為LNA和PA的設計都需要這方面的設計參數。 三、元件結構說明 3.1元件尺寸： Big Device 2.4um X 3um (Double emitter) 2.4um X 6 um (Double emitter) 2.4um X 9 um (Double emitter) 2.4um X 12 um (Double emitter) 2.4um X 25 um (Double emitter) 3um X 9um (Double emitter) 3.6 um X 3um(Double emitter) 4.2um X 3um (Double emitter) 4.8um X 3um (Double emitter) 2.4um X 3um (single emitter) 6um X 3um (single emitter) 9um X 3um (single emitter) 12um X 3um (single emitter) 2.4um X 25um (4 emitter) 2.4um X 25um (8 emitter) 3.0um X 25um (4 emitter) 3.0um X 25um (8 emitter) Open pad Short pad 2.SOLT的方法校正： 量測HBT元件以得到高頻量測的雜訊及S參數等高頻特性，在從中萃取參數。量測最重要的便是消除量測系統中的寄生效應。我們將利用SOLT的方法校正。讓量測參考接面移至探針的尖端。 然後我們便可以用SY參數的轉換而去除Pad和interconnections的寄生效應，而得到intrinsic雙極性電晶體之量測值。 我們利用了之前萃取研究的結果和對於高頻量測的考量後，我們即可萃取正確的量測值。 3.3測試 我們將利用國家奈米元件實驗室的高頻量測系統。晶片的量測以 on-wafer probe 為主，DC probe使用標準multi-pin 150-mm pitch-to-pitch probe , RF probe使用 G-S-G 標準150-mm pitch-to-pitch probe。 四、測試結果 目前量到了，2.4X3、2.4X6、2.4X9(Double emitter)的Noise 和 S參數，頻率為從0.3GHz至6GHz，Step為0.3GHz。 偏壓點為： Bias point: Vc=1.2,2.4,3.6 (V) Ic=1,3,5,7,9,15,20(mA/um) 結果與結論 經過我們整理之Data可以發現了一些趨勢如下： Noise performance： VS. frequency---freq 上升，Gain下降 Fmin上升 Rn不變。 VS. Vc ---Vc上升，Gain Fmin Rn 幾乎不變。 VS. Ic ---Ic上升，Gain 上升 Fmin 上升 Rn 下降。  圖表 圖一. 佈局平面圖 圖二、原始Noise Data 圖三、整理過後的Noise Data 圖四、原始的S_para_Data 圖五、整理過的S參數 *** Chip Features CAD Tools *** CKT name : RF Device Test key Technology : GCS HBT