第11篇稳恒磁场B(完全版1).ppt

由于磁化电流是磁介质磁化的结果,所以磁化电流和磁化强度之间一定存在着某种关系。 为简单起见,我们用长直螺线管中的圆柱体顺磁介质来说明它们的关系。 设圆柱体顺磁介质长L,横截面积为S,磁化电流面密度为 ,则此磁介质中的总磁矩为 3.磁化强度和磁化电流的关系 |? pm| =磁介质中分子磁矩的矢量和 M L S 设圆柱体顺磁介质长L,横截面积为S,磁化电流面密度(即沿轴线单位长度上的磁化电流强度)为J,则此磁介质中的总磁矩为 =磁介质中分子磁矩的矢量和 J’LS=|? pmi| 即磁化电流面密度J’ 等于磁化强度M的大小 。 按磁化强度的定义 ，有 真空的磁化强度M为零. M L S 一般情况下, J=M可写成下面的矢量式: 取如图所示的矩形闭合路径l, 则磁化强度的环流为 可见，磁化强度的环流(磁化强度沿闭合路径l的线积分)等于该闭合路径l所包围的磁化电流的代数和。 ?闭合路径l所包围的磁化电流的代数和 M l 1 2 3 4 式中, ?Io内和 ?I′内分别是闭合路径l所包围的传导电流和磁化电流的代数和。 §11.7 磁 介 质(二) 一.磁介质中的磁场 B=Bo+B? =?rBo 二.磁介质中的安培环路定理 传导电流 磁化电流 * 一. 匀速运动点电荷的磁场 I=qn?ds 设电流元Idl 的横截面积为ds，导体单位体积内有n个带电粒子,每个粒子带有电量q，以速度?沿Idl 的方向作匀速运动，由10.7例 题 可知 Idl =qn?dsdl =q?.ndsdl 一个运动电荷产生的磁场= r P Idl ds I §11.5 匀速运动点电荷的磁场 在电流元Idl 内运动的带电粒子数为 dN=ndsdl 一个电荷q在磁场B中以速度?运动时，该电荷所受的磁场力(也称为洛仑兹力)为 洛仑兹力的大小 f=q?Bsin? 式中:?为电荷的运动方向与所在点磁场B的方向之间的夹角。 洛仑兹力f 的方向垂直于? 和B 组成的平面。 若q0,则 f 的方向与??B 的方向相同; 若q0,则f 的方向与??B 的方向相反。 +q ? f B ? §11.6 磁 力 一 .洛仑兹力 用右手.  结论:由于洛仑兹力的方向总是与电荷的运动方向垂直,所以洛仑兹力对运动电荷不作功。 1.带电粒子在匀强磁场中的运动 因为洛仑兹力 f=q?Bsin? =0，所以带电粒子在磁场中作匀速直线运动。 带电粒子作匀速率圆周运动。圆周运动的半径和周期分别为 ? B B ? ^ ^ B ? / 螺距 半径 周期 ? ? B ? =?cos? ^ ? =?sin? 这两种运动叠加的结果是粒子以B的方向为轴线作等螺距螺旋线运动(见图)。 磁聚焦示意图 P点电子束的各电子速度大小相等，但方向各异； 一般来说，电子速度与磁场的夹角很小。 螺距 P点出发的各电子经过一个周期T后，都又会重聚于 同一点P′.这就是磁聚焦的基本原理。 它已广泛地应用于电真空器件中,特别是电子显微镜中。 2 .霍耳效应 1879年,霍耳(A.H.Hall)发现下述现象:在匀强磁场B中放一板状金属导体,使金属板面与B的方向垂直,在金属板中沿着与磁场B垂直的方向通以电流I,则在金属板上下两个表面之间就会出现横向电势差VH(见图)。这种现象称为霍耳效应,VH称为霍耳电势差。 b I B a 上下两个表面之间的电场用EH 表示。 产生霍耳效应的原因：金属中的自由电子受洛仑兹力的作用。 VH fm ? 达到稳恒状态时， -eEH=-e?B 即 EH=? B VH= EH.a=a?B I=ne? 式中b是导体在磁场方向的厚度。 霍耳效应不只在金属导体中产生,在半导体和导电流体(如等离子体)中也会产生。 得 b I B a VH fm ? ab 金属导体中形成电流的载流子是带负电的自由电子；在N型半导体中的多数载流子仍是带负电的电子，但在P型半导体中的多数载流子却是带正电的空穴。 通过对霍耳电势差的实验测定,可判定半导体的类型,还可以用下式计算出载流子的浓度。用霍耳效应来测磁场，是现在一个常用的比较精确的方法。 例题半导体的大小a×b×c=0.3×0.5×0.8cm3 , 电流I=1mA(方向沿x轴), 磁场B=3000Gs(方向