半器小结,教学要求.docVIP

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半器小结,教学要求

#2.1节小结 1、名词、术语和基本概念: PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒。 2.分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释了PN结空间电荷区(SCR)的形成。 3. 介绍了热平衡PN 结的能带图(图2.3a、b)及其画法。 4.利用中性区电中性条件导出了空间电荷区内建电势差公式: (2-7) 5.解Poisson方程求解了PN结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度: (2-14) (2-15) (2-16) (2-17) (2-18) 6.扩展知识:习题2。2 2。5 教学要求 1、掌握下列名词、术语和基本概念: PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒。 2.分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区(SCR)的形成。 3. 正确热平衡PN 结的能带图(图2.3a、b)。 4.利用中性区电中性条件导出空间电荷区内建电势差公式: (2-7) 5.解Poisson方程求解单边突变结结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度。并记忆公式(2.14)――(2-18) 6.作业题:2.2 、 2.4 、 2.5、2.7、2.10 #2.2节小结 1、名词、术语和基本概念: 正向注入、反向抽取、扩散近似、扩散区 2.介绍了加偏压PN结能带图及其画法 3.根据能带图和修正欧姆定律分析了结的单向导电性: 正偏压V使得PN结N型中性区的费米能级相对于P型中性区的升高qV。在P型中性区=。在空间电荷区由于n、pn,可以认为费米能级不变即等于。在N型中性区=。同样,在空间电荷区由于n、pn,可认为费米能级不变即等于于是在空间电荷区N侧有一个费米能级从逐渐升高到的区域,称为 空穴扩散区;在空间电荷区P侧有一个费米能级从逐渐下降到的区域,称为 电子扩散区(以上分析就是画能带图的根据)。在电子扩散区和空穴扩散区,由于不等于常数即,根据修正欧姆定律必有电流产生,由于,电流沿x轴正方向,即为正向电流。又由于在空间电荷区边界注入的非平衡少子浓度很大,因此在空间电荷区边界电流密度也很大〔J=,〕。离开空间电荷区边界随着距离的增加注入的非平衡少子浓度越来越小(e指数减少),电流密度也越来越小。 反偏压-使得PN结N型中性区的费米能级相对于P型中性区的降低q。在扩散区费米能级的梯度小于零,因此会有反向电流产生。由于空间电荷区电场的抽取作用,在扩散区载流子很低,很小,因此虽然有很大的费米能级梯度,电流却很小且趋于饱和。 4.根据载流子扩散与漂移的观点分析了结的单向导电性: 正偏压使空间电荷区内建电势差由下降到-V打破了PN结的热平衡,使载流子的扩散运动占优势即造成少子的正向注入且电流很大。反偏压使空间电荷区内建电势差由上升到+同样打破了PN结的热平衡,使载流子的漂移运动占优势这种漂移是N区少子空穴向P区和P区少子电子向N区的漂移,因此电流是反向的且很小。 5.在反偏压下,如用代替自建势,对于突变结,耗尽层宽度为 (2-23) 6.根据 〔式(2-7)〕 给出了结边缘的少数载流子浓度: (2-29) 和 (2-30) 7.在注入载流子的区域,假设空间电荷的电中性条件完全得到满足,则少数载流子是仅存的一种类型的载流子。这些载流子由于被中和,不带电,通过扩散运动在电中性区中输运。这称为扩散近似。于是稳态载流子输运满足扩散方程。# #教学要求 1、掌握名词、术语和基本概念: 正向注入、反向抽取、扩散近似、扩散区 2.正确画出加偏压PN结能带图。 3.根据能带图和修正欧姆定律分析了结的单向导电性 4.根据载流子扩散与漂移的观点分析了结的单向导电性 5.掌握反偏压下突变结,耗尽层宽度公式(2-23) 6导出 结边缘的少数载流子浓度公式 (2-29)和 (2-30) 7.作业:2.1 # 2.3节小结 1.稳态PN结二极管中载流子分布满足扩散方程。 2.解扩散方程求得满足边界条件的解: (2-37) 对于长二极管,上式简化为

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