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自动控制原理 第4章 根轨迹法[4.1]
WORDS AND PHRASES 特征方程 characteristic equation 极点 pole 零点 zero 根轨迹 root locus 幅值和相角条件the magnitude and angle conditions 本章重点内容 根轨迹的基本概念 根轨迹绘制的基本规则 参量根轨迹的绘制 用根轨迹法分析闭环控制系统的性能 4.1 根轨迹法的基本概念 4.1.1 根轨迹的概念 图4-1 二阶系统 于是,求得系统的闭环特征方程式为 由上式可见,特征根s1和s2都将随着参变量K的变化而变化。表4-1列出了当参变量K由零变化到无穷大时,特征根s1和s2相应的变化关系。 4.1.2 根轨迹与系统性能 2. 稳态性能 由图4-2可见,开环系统在坐标原点有一个极点,所以系统属I型系统,因而根轨迹上的K值就是静态速度误差系数。 如果给定系统的稳态误差要求,则由根轨迹图可以确定闭环极点位置的容许范围。在一般情况下,根轨迹图上标注出来的参数不是开环增益,而是所谓根轨迹增益。 3. 动态性能 由图4-2可见,当 时,所有闭环极点位于实轴上,系统为过阻尼系统,单位阶跃响应为非周期过程; 当 时,闭环两个实数极点重合,系统为临界阻尼系统,单位阶跃响应仍为非周期过程,但响应速度较 情况为快; 当 时,闭环极点为复数极点,系统为欠阻尼系统,单位阶跃响应为阻尼振荡过程,且超调量将随K值的增大而增大,但调节时间的变化不会显著。 上述分析表明,根轨迹与系统性能之间有着比较密切的联系。 然而,对于高阶系统,用解析的方法绘制系统的根轨迹图,显然是不适用的。为此,伊文思提出了给制根轨迹的一套基本规则。应用这些规则,根据开环传递函数零、极点在s平面上的分布,能较方便地画出闭环特征方程式根的轨迹。 4.1.3 根轨迹的幅值条件和相角条件 设单闭环控制系统的一般结构如图4-3所示。该系统的特征方程式为 由于s是复数,式(4-2)等号的左端也必是复数,因而该式可改写为 式(4-4)、(4-5)分别称为根轨迹的幅值条件和相角条件(The magnitude and angle conditions)。 显然,满足式(4-2)的s值必同时满足式(4-4)和式(4-5)。 为了把幅值条件和相角条件写成更具体的形式,假设系统的开环传递函数为如下形式: 式中, 为开环传递函数的零点;为开环传递函数的极点。在s平面上,它们分别用符号 表示。 若把式(4-6)分子、分母中的各因式以极坐标形式来表示,即令 于是求得根轨迹具体形式的幅值条件和相角条件为 由上述两式可见,幅值条件与k有关,而相角条件与k无关。因此,把满足相角条件的值代入到幅值条件中,一定能求得一个与之相对应的k值。这就是说,相角条件是确定s平面上的根轨迹的充分必要条件。换言之,凡是满足相角条件的点必然也同时满足幅值条件,反之,满足幅值条件的点未必都能满足相角条件. 综上所述,根轨迹就是平面上满足相角条件点的集合。 由于相角条件是绘制根轨迹的基础,因而绘制根轨迹的一般步骤是:先找出s平面上满足相角条件的点,并把它们连成曲线;然后根据实际需要,用幅值条件确定相关点对应的值。 (2)用相角条件绘制根轨迹 本例的相角条件为 2)在(0,–1)间的实轴上任取一试验点s2,如图4-4(b)所示,由于 因而该点满足相角条件。由此可知,(0,–1)间的实轴是该系统的根轨迹。 4) 在s平面上任取一点s4,如图4-4(d)所示,令 , 。如果点s4位于根轨迹上,则应满足相角条件,即 。 显然,只有当 时,才能满足此条件。由此可知,坐标原点与–1之间的实轴的垂直平分线上的点均能满足相角条件,因而该垂直平分线也是系统根轨迹的一部分。 综上所述,当K由 变化时,该系统完整的根轨迹如图4-4(d)中的粗实线所示。显然,这与图4-2按直接计算所画出的根轨迹是相同的。 (3) 用幅值条件确定增益K 系统的幅值条件为 由例4-1可知,用试探法绘制系统的根轨迹既麻烦又费时,因而也不便于实际应用。在控制工程中,通常均采用以相角条件为基础建立起来的绘制根轨迹的基本规则。应用这些规则,就能较方便地画出根轨迹的大致图形,并为根轨迹图形的进一步精确绘制指出了试探的方向。 顺便指
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