2010年湖北高考文综试题及答案(a卷)文库.ppt

3.1 溅射基本原理 3.2溅射主要参数 3.3 溅射沉积装置及工艺 3.4 离子成膜技术 3.5 溅射技术的应用 等离子体 等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用： 1、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大 部分能量 2、通过等离子刻蚀选择性地去处金属 ?产生辉光放电 通过混合气体中加直流电压、或射频电压，混合气体中的电子被电场加速，穿过混合气体，与气体原子或分子碰撞并激发他们，受激的原子、或离子返回其最低能级时，以发射光（或声子）的形式将能量释放出来。 不同气体对应不同的发光颜色。 4.1 辉光放电和等离子体 1. 入射离子能量的影响 只有入射离子能量超过一定阈值以后，才能从被溅射物质表面溅射出离子，阈值能量与入射离子的种类关系不大，与被溅射物质的升华热有一定比例关系。 随入射离子能量的增加，溅射产额先增加，然后处于平缓（10Kev)，离子能量继续增加，溅射产额反而下降 2 入射离子的种类和被溅射物质的种类 通常采用惰性气体离子来溅射，由图3.7知，重离子的溅射产额比轻离子高，但考虑价格因素，通常使用氩气作为溅射气体。 用相同能量的离子溅射不同的物质，溅射产额也是不同的，Cu, Ag, Au产额高，而Ti, W, Mo等产额低。 4. 合金与化合物的溅射 溅射产额一般不能直接由相应金属的值来确定。 自动补偿效应：溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降，而溅射产额低的物质得到富集，溅射速率上升。最终结果是，尽管靶材表面的化学成分已经改变，但溅射得到的薄膜成分却与靶材的原始成分基本相同。 当靶的温度很高，各种合金成分由于热扩散发生变化时，溅射膜和靶材原来的组分就会发生变化。 二、溅射粒子的能量和速度 靶表面受离子轰击会放出各种粒子，其中主要是溅射原子（绝大部分是单原子）。脱离表面的溅射原子有的处于基态，有的处于不同激发态。 例如，用100eV的Ar离子对多晶Cu靶进行溅射，溅射粒子中95%是Cu的单原子，其余是Cu分子；随着入射离子能量的增加，构成溅射粒子的原子数也逐渐增加。对化合物靶进行溅射时，其情况与单元素靶相似。 当入射离子能量在100eV以下时，溅射粒子是构成化合物的原子，只有当入射离子能量在10keV以上时，溅射粒子中才较多地出现化合物分子。 二、溅射粒子的能量和速度 与热蒸发原子具有的动能（0.01-1eV）相比，溅射原子的动能要大得多。 在垂直入射的情况下，当入射离子的能量比较高时，溅射原子的角分布为余弦关系；当入射离子的能量降低时，溅射原子的角分布由余弦关系变为低于余弦的关系。 二、溅射粒子的能量和速度 用Hg离子轰击时，大多数溅射原子的速度为4×105cm/s，平均动能约为4.5eV。增大入射离子能量，峰值向高速方向偏移，说明溅射原子中能量较高的比例增加。若采用Ar离子轰击，大多数金属原子的平均速度为3×106-6×105cm/s。溅射产额高的材料，溅射离子的能量较低。 三、溅射速率和淀积速率 靶材原子的迁移涉及到三个过程： 靶材表面的溅射、由靶材表面到衬底表面的扩散、衬底表面的沉积。 分别具有一定的速率。 在实际中，提高沉积速率的有效方法是改变电极配置（如三极溅射）和施加适当的磁场（如磁控溅射）等。 一、直流溅射装置及特性 工作原理： 当加上直流电压后，辉光放电开始，正离子打击靶面，靶材表面的中性原子溅射出，这些原子沉积在衬底上形成薄膜。 在离子轰击靶材的同时，也有大量二次电子从阴极靶发射出来，被电场加速向衬底运动，在运动过程中，与气体原子碰撞又产生更多的离子，更多的离子轰击靶材又释放出更多的电子，从而使辉光放电达到自持。 一、直流溅射装置及特性 优点：结构简单，操作方便，可长时间进行溅射。 缺点：阴极溅射辉光放电的离化率低，沉积速率低，只有80nm/min； 靶材必须为金属，在非反应性气氛中不能制备绝缘介质材料； 二次电子轰击，温度较高，使不能承受高温的衬底的应用受到限制，且对衬底造成损伤；工作气压高，对薄膜造成污染，影响沉积速率，降低工作气压易使辉光放电熄灭。 二、 三极溅射和四极溅射装置及特性 在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中这个独立的电子源就是热阴极，它通过热离子辐射形式发射电子。 所谓三极指的是阴极、阳极和靶电极。 四极溅射是在上述三极的基础上再加上辅助电极，也称为稳定电极，用以稳定辉光放电。沉积速率约2? m/min。 二、 三极溅射和四极溅