复旦微电子模拟集成电路设计单放大器1.pptVIP

单级放大器 直流偏置 分压电路 电流镜电路 单级放大器 共源放大级 源跟随器 共栅放大级 共源共栅放大级 分压电路 电阻分压：提供简单的直流电压偏置 分压电路 分压电路 分压电路 分压电路 电流源电路 电流源电路 电流源电路 放大器的基本概念 放大器的输入输出特性在一定信号范围内可表示为： 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 共源放大器 源跟随器 源跟随器 源跟随器 源跟随器 * VDD M1 R1 R2 Iout 电阻值小，则电流大，面积小。反之，则电流小，面积大。 输出电压受电阻的相对值影响。 受Vdd的影响，当Vdd改变时，Vo也改变。 若Vgs-Vth很小时，尽管Vo很精确，但Vth和迁移率随工艺而改变，使得输出电流很不精确。 Vo 二极管分压 电阻值太大，为节约面积，用MOS管栅源短接代替电阻——有源电阻。 因为栅源短接，MOS管总是在饱和区 Vds Id AC DC G D V S 若 若 可忽略 D S M2 M1 Vo=VDS1 二级管分压电路：M2采用PMOS,消除体效应。 例： 同理可得： 取： 结论： 给定电压和电流，确定MOS管的宽长比 例：给定参考电流。通过一个MOS二极管得到偏置。 a) 输出电压和VDD没有关系。而和参考电流有关。 b) 面积减小 30ua Vo=3V 5V 概念：假定有一个精确的参考电流源，电流镜电路可以将 这个参考电流精确地复制。 Iref Iout M1 M2 精确程度取决于匹配。 等效电路： 没有电流流过1/gm 例： 小信号输出阻抗： 增加输出阻抗提高精确程度。 Iref M1 I2 M2 I3 M3 M5 M6 M4 I4 利用一个精确的参考电流产生模拟电路中的所有电流偏置 例：若所有MOS管均在饱和区， 求M4的漏电流。 确定Iout和Iref之间的放大因子。 所有晶体管栅长相同，以减小源漏边缘扩散引入的误差。 在一个足够窄的范围内：x的变化很小 输出随输入增量变化是线性的 是增益。 模拟电路的八边形法则：增益、速度、功耗、电源电压、线性度、噪声、输入输出阻抗、最大电压摆幅八种性能参数相互牵制，导致设计成为多维优化问题。 优化的折中方案。 电阻负载： M1的栅源之间输出电压信号Vin，通过NMOS的跨导放大，在漏极得到一个小信号电流。电流通过负载电阻产生电压输出。 输入栅源电压，输出栅漏电压?共源放大。 两种分析方法： RD M1 Vin Vout 大信号分析：考虑Vin从小到大变化 当 当 M1 饱和 Vin Vout Vth Vin1 当 M1 在线性区 当Vin足够高， 饱和区增益：对饱和区方程求导。 若代入饱和区公式时，考虑沟道长度调制效应，则： 结论： 增益和跨导gm、输出阻抗成正比。 gm随Vin线性上升，因此增益是非线性的。 小信号分析： 很容易得到增益： 输出阻抗：输入为零时，在输出加电压激励，得到电流。 理想电流源负载： M1 Vin Vout I1 假定I1是理想电流源，M1处在饱和区。 称为晶体管的“本征增益”，代表单个晶体管 能达到的最大增益。 一般： 问题：Vout=？ 二极管负载：采用NMOS负载，存在体效应。 M1 Vin Vout M2 利用小信号分析，对M2： Av决定于M1和M2的W/L之比，是恒定的。电路的线性度高。 NMOS二极管负载的大信号分析： Vin Vout Vth1 Vdd-Vth2 当 当 M1、M2 饱和 对Vin微分可得Av 当 A M1进入线性区。 二极管负载：采用PMOS负载，不存在体效应。 M1 Vin Vout M2 忽略沟道长度调制： 例： M1的W/L太大，寄身电容 增加，影响电路速度。 分析：将Av用另一种形式表达（和β无关） 当Vin一定时，Veff恒定。 说明Vout有一定的电压限制，增益上升，摆幅下降。 考虑λ M1 Vin Vout M2 Is 在M2边上并联一个恒流源，M2 的电 流将下降，跨导下降，增益提高。 取： 在相同增益条件下，降低了MOS管的W/L比。 I2 减小，Vgs2减小，Vout的摆幅提高。 电流源负载： M1 Vin Vout M2 Mb Vb Iref 对共源放大器，有 但电阻和二极管负载的电压摆幅受到限制。 用电流源代替电阻，如图： MOS管得输出阻抗很大。长沟道器件可以提高增益。 对M2， 若I是恒定值，当W