模拟电路基础 0090915 第五次课.pptVIP

晶体二极管：单向导电性 晶体三极管：放大作用 双极型晶体管（ BJT， Bipolar Junction Transistor） 场效应管（ FET， Field Effect Transistor）单极型 晶体管内部载流子运动与外部电流 * * Chap2 双极型晶体三级管 （6学时，第5次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn 答疑：周四课后A302 晶体管概述 双极型晶体管： 工作原理 静态特性曲线 主要参数 直流模型 交流小信号模型 2.1 BJT工作原理 在同一个硅片上制作出三个独立的掺杂区，并形成两个PN结，所构成的三端器件就是晶体管。 分NPN管和PNP管两种类型，如图所示。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 2.1.1 BJT结构 BJT内部结构 三个区： 发射区（Emitter） ——发射载流子的区域 基 区（Base） ——传输载流子的区域 集电区（Collector） ——收集载流子的区域 三个极: 发射极（E）基极（B） 集电极（C） N N P B E C 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 两个结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：很薄，掺杂浓度最低 集电区：面积大；掺杂浓度低于发射区 发射区：掺 杂浓度最高 BJT结构特点 三极管的不同封装形式 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 2.1.2 放大状态下BJT内部载流子的传输过程 外部偏置——当BJT的发射结正偏、集电结反偏时，BJT处于放大状态；对于NPN管，要求：（ VBE0 ，VBC0 ）。 B E C N N P IE 基区空穴向发射区的扩散电流IEP，浓度小，可忽略。 VCC VBB RB IBN 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 BJT的电流放大作用——内外部电流 B E C N N P VBB RB VCC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBN ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 IB IB=IBN-ICBO?IBN BJT的电流放大作用——内外部电流 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 晶体管三电极电流之间的关系 则可得三电极的电流关系： 根据传输过程可知: 又，IEP很小，可以忽略 IC=ICN+ICBO IE=IEN+IEP IB=IBN+IEP-ICBO IE=IB+IC 1. 发射区多子向基区扩散（又称注入） 正偏发射结使发射区自由电子（多子）向基区注入（扩 散），形成电流IEN。 基区空穴向发射区注入，形成空穴注入电流IEP。 两电流之和构成发射极电流IE = IEN + IEP 。 发射极电流的主要部分是自由电子形成的电流，即IE ≈IEN 2. 基区非平衡少子向集电结方向边扩散边复合 由于基区的空穴浓度很低，且基区很薄，只有很少部分的 自由电子被基区空穴（多子）复合，形成基区复合电流IBN。 由PN结的原理，反偏集电结还存在着集电结反向饱和电 流ICBO。因此，基极电流：IB = IBN + IEP - ICBO 3. 集电区收集基区非平衡少子 扩散到达集电结边界的基区非平衡少子（发射区扩散到 基区的自由电子），在电场力的作用下均被抽取（漂移） 到集电区，形成集电极电流的主要成分ICN。 因此，集电极电流为： IC = ICN + ICBO BJT放大内外部条件 内部载流子 的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄，集电结较宽。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 发射区：发射载流子 基 区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子 根据传输过程可知： IC= ICN+ ICBO 通常，IC ICBO 4. 放大偏置时电流分配关系 载流子的传输过程 (1) IE与IC的关系 ? 为共基极直流电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.97?0.99 4. 放大偏置时电流分配关系 (2) IC 与IB的关系 ICBO