模拟电路基础 20090917 六次课.pptVIP

直流参数 直流电流放大系数 和 极间反向电流ICBO和ICEO 交流参数 交流电流放大系数α和? 频率参数f?和fT 极限参数 集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压 交流参数是描述BJT对于动态信号的性能指标。 极限参数是指BJT安全工作时不可超过的限度。 1. 描述放大状态下BJT内部载流子的传输过程。 2. 放大状态下PNP管所加外部电压的偏置情况。 3. …. 大学学习三部曲——“预习-听课-温习” 动态——交流——变化量 * * Chap2 双极型晶体三级管 （6学时，第六次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn 2.2 BJT的静态特性曲线 特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线 概念 输入特性曲线 输出特性曲线 晶体三极管的静态特性曲线是在伏安平面上作出的反映晶体管各极直流电流与电压关系的曲线－晶体管图示仪。利用晶体管的特性曲线可以分析晶体管放大电路（负载线法）。 三极管在电路中的连接方式 共基极连接 共集电极连接 共发射极连接 公共端：不同回路共享的支路所对应的端子。 实验线路 IC mA ?A V V VCE VBE RB IB VCC VBB + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 2.2.1 共射输入特性曲线 (输入端的电流与电压间的关系曲线) iB=f(vBE)? vCE=const 曲线的形状与PN结正偏时的伏安特性曲线类似。 集电结反偏电压vCE增大时，输入特性曲线略为右移，这意味着当VBE不变时，VCE增大会使iB因基区宽调效应而减小。 放大区VCE对iB的影响甚小，输入特性曲线族会密集在一起，因此，工程上往往将输入特性曲线族近似为一条曲线。 输入特性曲线有以下两个特点： (输出端集电极电流与输出端口集射极电压间的关系曲线) 2.2.2 共射输出特性曲线 图2.6 NPN管输出特性曲线 输出特性曲线的四个区域，对应于BJT的四种工作状态。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量ΔiB时，iC就会有很大的变化量ΔiC。为此，定义共发射极交流电流放大系数?来表示这种控制能力。 放大区——条件 e结正偏，c结反偏 2.2.2 共射输出特性曲线 图2.6 NPN管输出特性曲线 (2) vCE变化对iC的影响很小，在输出特性曲 线上表现为iB一定而vCE增大时，曲线略有上翘（iC略有增大）。这是因为vCE增加使得集电结反偏电压vCB增大，会因基区宽调效应而略有增大。当参变量IB增大时，上翘的斜率也会增大。 定义共发射极交流电流放大系数： 由于基调效应很微弱，vCE在很大范围内变化时iC 基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流 iC具有恒流特性。 2.2.2 共射输出特性曲线 图2.6 NPN管输出特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.3V。 2. 饱和区——条件 e结和c结均为正偏 ①临界饱和状态：vCB=0（即c结零偏）的情况。对应点的轨迹为临界饱和线。 ②饱和区：临界饱和线与纵轴所夹的区域。 ③在饱和区，vBEvCE，各条曲线几乎重合在一起，iC与iB的比例关系不再成立。因此，iC失去了对iB的控制作用。 ④饱和压降：当晶体管工作在饱和区时，C、E之间的压降。记作VCES，在深度饱和时， VCES很小。 2.2.2 共射输出特性曲线 图2.6 NPN管输出特性曲线 截止区：iC接近零的区域，IB-ICBO的曲线的下方。此时，iC=ICEO ?0, vBE死区电压。 3. 截止区——条件 e结和c结均为反偏，且IB-ICBO 4. 击穿区 当vCE增大到基极开路时集电结的反向击穿电压达到BVCEO时，集电结发生击穿，集电极电流iC急剧增大的区域。击穿电压 BVCEO会随参变量IB的增加而减小。 对于小功率管，ICEO通常很小，截止区：IB=0；对于大功率管，ICEO很大，截止区： IB-ICBO 2.2.3 温度对BJT特性及参数的影响 由于 ，ICEO随温度的变化与ICBO类似， 其随温度的变化规律为： 3. 温度对输出特性曲线的影响 2. 温度对输入特性曲线的影响 1. 温度对ICBO 和ICEO 的影响 温度每升高10℃, ICBO 增加约一倍；反之，温度减低时减小。 2.3 BJT主要参数 一般近似认为： ? = ? = 1. 直流电流放大系数 和 （1）共基直流电流放大系数 （2）共射直流电流放大系数 （3） 与 之间的关系 （2.25） （2.26） 2.3.1