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高压发光二极管研制及产业化应用 　　摘要 本文通过对图形化蓝宝石衬底外延生长、芯片晶粒间隔离及金属导线互联等多种工艺技术的优化，成功研制出集成式高压发光二极管（HV-LED），其产业化光效已超过110lm/W；20mA下的光场分布图，显现出良好的电流扩展性；与传统DC-LED相比，封5W球泡灯时，HV-LED芯片光效达到115lm/W，提升约8%，位居同类产品前列，三安光电已开发系列化高压HV-LED，并实现客制化。 　　关键词 高压；氮化镓；发光二极管；产业化 　　中图分类号TM92 文献标识码A 文章编号 1674-6708（2013）85-0147-02 　　0 引言 　　发光二极管是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的半导体发光器件，具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。随着研究不断深入，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广[1]。近年来，随着 LED 在材料选取、晶粒制程、封装架构设计技术等方面的研究不断进步，新型的高压发光二极管（HV-LED）技术应运而生，有利推动了 LED照明技术的实用化[2]。 　　目前，Cree仍是照明LED技术领导者，并已推出160lm/W产品，但价格相对偏高。欧司朗、日亚、晶电、璨圆也先后推出发光效率分别达136lm/W 、133lm/W、110lm/W和100lm/W的高压HV-LED芯片。此外，武汉迪源也研发出高压芯片，并实现量产。 　　1 新型HV-LED与传统DC-LED的特点对比 　　传统DC-LED芯片是在大电流低电压下工作，为提升使用电压，一般在封装端采用多颗芯片串并联，而新型HV-LED直接在芯片端便实现了晶粒间的串并联，使其在低电流高电压下工作，大大减少了芯片固晶、键合数量，封装成本降低。 　　HV-LED芯片是在单位面积内形成多颗微晶粒集成，而COB是采用若干个HV-LED芯片集成，避免各芯片间同波段内如波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题； HV-LED芯片自身工作电压高，易通过串并联实现封装成品工作电压接近市电，提高驱动电源的转换效率；由于工作电流低，线路损耗也将明显低于传统的 DC 功率LED芯片。 　　2 HV-LED的工艺技术关键点 　　集成式HV-LED与传统DC-LED的制作工艺比较相似，区别是需外加三步关键工艺，其中每步工艺都对器件的光电特性、良品率等有重要影响。 　　1）蚀刻隔离沟槽。隔离目的在于将晶片上每个单元内的若干颗的晶胞独立开来，实现电学隔开，因此隔离沟槽需要足够地深，直至绝缘衬底，其深度一般在5um～10um，隔离沟槽宽度则无固定限制，但隔离沟槽太宽代表着有效发光区域的减少，会降低光效，因此需要开发高深宽比的制程技术，缩小制程线宽以增加发光效率； 　　2）沉积绝缘层，若绝缘层不具备良好的绝缘特性，将使整个设计失败，其难点在于必须在高深宽比的沟槽上披覆包覆性良好、膜质紧密及绝缘性佳的膜层，即所选的膜层材料除了要有非常好的绝缘性能，也需要有非常好的阶梯覆盖保形能力，让晶片每个单元的侧壁上都能沉积优质均匀的薄膜； 　　3）晶片间金属导线互联。良好的连接是导线在跨接时需要相对平坦的表面，深邃的阶梯状结构将使得导线结构薄弱，在高电压、高电流驱动下易产生毁损，造成晶片失效，因此平坦化制程的开发非常重要。理想状态是在做绝缘层时，能同时将深邃的沟槽予以平坦化，使互连导线得以平顺连接，如图1所示。 　　图1 HV-LED晶片间的金属导线互联SEM图 　　3 HV-LED芯片的制作与应用 　　GaN基蓝光LED 电压在3.0V～3.2V，HV-LED主要用于封装成球泡灯、射灯、落地面板灯等。以5W球泡灯为例，介绍HV-LED的制作与应用。为了球泡灯能在家用电压下正常工作，同时考虑实际应用中串入恒流IC以及兼顾性能、良率、成本等因素，将23*45mil 芯片设计成单颗18V的HV-LED，单颗芯片上需要形成6颗独立且串联在一起的微晶粒组，简称HV-6。23*45mil HV-LED的电流驱动设定为20mA，单颗HV-LED的电功率消耗估算值约为0.36W，为了制作5W 球泡灯，采用15串HV-6串联，并接入简单的驱动电路以实现 HV-LED在AC220V下正常工作。 　　图2为集成式HV-LED芯片在20mA电流下的光场分布图，可以看出，点亮后芯片表面无明显暗区，这说明每颗微晶粒都是正常工作的，电流的分布大致均匀，具有良好的电流扩展性。 　　图2 HV-LED的光场分布图 　　为比较HV-LED与传统DC-LED光电特性，同时设计并制作10*23mil DC-LED芯片，其外延片选用和HV-LED同炉同圈，芯片工艺流程一致，驱动电流是20mA，工作电压约为3.1V，对应的电功率消耗约为0.