结题报告低温共烧陶瓷微电路材料备及性能.docVIP

（创新类项目）结题报告书 项目名称 低温共烧陶瓷微电路材料制备及性能 项目类型 （√）重点项目 、（ ）重点自筹项目 、（ ） 一般项目 、（ ）指导项目 研究期限 项目起始时间：2014年5月 计划完成时间：2015年5月 实际完成时间：2015年4月 研究目标：通过本项目，让学生了解无源集成多层微电路基片的国内外研究现状与制备测试方法。制定复相玻璃陶瓷材料的配方，采用玻璃高温熔融法制备各玻璃粉料，结合流延工艺参数的优化，对制成的电路基片材料进行综合性能测试。 研究成果：参加研究人员能够较全面的对低温共烧微电路材料进行综合分析，在加深对低温共烧微电路材料的认识的同时，通过优化制备技术,得到了优化的结构及更优异的性能,并了解了相关材料的综合性能和应用前景。撰写了实验报告和学术论文一篇，已经在投稿中。项目的完成质量：在这次大学生实践创新项目中基本掌握了国内外文献检索技能，并对材料学领域产生了浓厚兴趣进而掌握科研基本思路，培养对材料学领域科学研究的浓厚兴趣，从而对以后的学习和工作起到很好的指导作用。学术水平：目前，材料采用烧结法制备玻璃陶瓷时，往往只注重烧结温度的降低、粉体制备方法的改进和介电损耗的降低，研究区域也仅仅局限于高硅区的个别配方点以及试样烧结后的性能，对三元体系缺乏整体性的把握和系列化的研究成果，对氧化硼挥发引起材料的稳定性、可靠性缺乏预测。因此开发出工艺稳定、低损耗。 推广应用价值：小型、轻量、薄型、高性能是数字网络时代电子设备的发展趋势，用于电子产品的元器件，也必定朝着高可靠、微型化、薄膜化、多功能和高效能等方向发展，这要求电子基板要有优良的电性能、机械性能、热性能、化学稳定性等。新型高性能陶瓷基板材料由于其介电常数可调、热膨胀系数与相关材料匹配、宽频性能优越等特点，在射频、微波、无线电通信等领域中有着广泛的应用，成为近年来研究的热点研究过程：将混合均匀的配合料在1500℃的硅钼棒高温升降炉中，玻璃熔制时间为40min，倒入铁制磨具中观察玻璃的形成情况。将1450℃的熔融玻璃液，倒入去离子水中，急冷，得到结构比较疏松的CBS玻璃碎片。平均粒径玻璃的熔制温度越高，配合料中石英的熔化越充分，玻璃的稳定性就越好，但试样的烧结温度增加，而熔制温度在1400℃和1450℃的玻璃粉，试样烧结后的介电性能相对优越，结合其介电损耗，选择熔制温度在1450℃的玻璃陶瓷，继续研究在此配方附近，氧化钙与氧化硅的比例固定不变，氧化硼含量在30wt%、35wt%、40wt%变化时，CBS玻璃陶瓷性能的变化。 从可以看出，B2O3含量在35wt%的CBS玻璃陶瓷，烧结范围比较宽，在850℃时烧结密度达到最大，为2.54 g·cm-3，而B2O3含量在30wt%和40wt%的CBS玻璃陶瓷，在830℃时的烧结密度达到最大，分别为2.41 g·cm-3、2.47 g·cm-3，在达到最佳烧结温度后，密度迅速降低。 B2O3含量为35wt%的CBS玻璃陶瓷在800℃的介电常数相对较高，这和它800℃时就有较高的烧结密度一致，随着烧结温度的增加介电常数均呈先增加后减小的趋势。在最佳烧结温度850℃下，CBS玻璃陶瓷的介电常数最大为6.42，介电损耗为0.0009。而B2O3含量分别为30wt%和40wt%的CBS玻璃陶瓷，在800℃时的烧结密度相对较低，在最佳烧结温度830℃下的介电常数分别为6.27、6.29，介电损耗相对较大分别为0.024、0.013，可见氧化硼含量过高或者过低都对介电性能不利。 介电性能的变化还可以从物相分析和SEM照片中得到解释，图为三种玻璃陶瓷的XRD图：( 40wt%的试样烧结温度为830℃，其它为850℃)，从图中可以看出，玻璃陶瓷的晶相种类均由CaB2O4、CaSiO3、α-SiO2三种组成，氧化硼含量由30wt%到40wt%变化时，各晶相的相对含量发生了变化。氧化硼含量的为40wt%的玻璃陶瓷，其衍射峰相对于35wt%和30wt%的玻璃陶瓷，CaSiO3和α-SiO2的衍射峰明显下降，由于其氧化硼含量的增加，使氧化硅和氧化钙的含量相对减少，Ca2+与硅氧四面体的结合几率变小，导致CaB2O4的衍射峰上升。氧化硼含量为35wt%的玻璃陶瓷，衍射峰相对与30wt%的玻璃陶瓷，CaSiO3含量下降，也是由于氧化硼含量增加引起的。 CBS玻璃陶瓷的SEM表面形貌图，其中(a)为30wt%的试样(烧结温度为850℃)，(b)为35wt % 的试样(烧结温度为850℃)，(c)为40wt%的试样(烧结温度为830℃)。 从中可以看出，试样均由玻璃相、晶相、微气孔组成。(a)中晶体形貌不明显，晶粒尺寸小于1μm，这些小晶体在玻璃陶瓷中占50%(体积比)以上，气孔成连通状态，使玻璃陶瓷的介电损耗的较大。(b)中气孔较少(大