场效应管的参数.docVIP

2.场效应管的分类: 　　场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. [编辑本段] 3.场效应管的主要参数 : 　　 　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. 　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. 　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. 　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. 　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. 　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. 　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 　　Cds---漏-源电容 　　Cdu---漏-衬底电容 　　Cgd---栅-漏电容 　　Cgs---漏-源电容 　　Ciss---栅短路共源输入电容 　　Coss---栅短路共源输出电容 　　Crss---栅短路共源反向传输电容 　　D---占空比（占空系数，外电路参数） 　　di/dt---电流上升率（外电路参数） 　　dv/dt---电压上升率（外电路参数） 　　ID---漏极电流（直流） 　　IDM---漏极脉冲电流 　　ID(on)---通态漏极电流 　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管） 　　IDS---漏源电流 　　IDSM---最大漏源电流 　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流 　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） 　　IG---栅极电流（直流） 　　IGF---正向栅电流 　　IGR---反向栅电流 　　IGDO---源极开路时，截止栅电流 　　IGSO---漏极开路时??截止栅电流 　　IGM---栅极脉冲电流 　　IGP---栅极峰值电流 　　IF---二极管正向电流 　　IGSS---漏极短路时截止栅电流 　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 　　Iu---衬底电流 　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） 　　gfs---正向跨导 　　Gp---功率增益 　　Gps---共源极中和高频功率增益 　　GpG---共栅极中和高频功率增益 　　GPD---共漏极中和高频功率增益 　　ggd---栅漏电导 　　gds---漏源电导 　　K---失调电压温度系数 　　Ku---传输系数 　　L---负载电感（外电路参数） 　　LD---漏极电感 　　Ls---源极电感 　　rDS---漏源电阻 　　rDS(on)---漏源通态电阻 　　rDS(of)---漏源断态电阻 　　rGD---栅漏电阻 　　rGS---栅源电阻 　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数） 　　RL---负载电阻（外电路参数） 　　R(th)jc---结壳热阻 　　R(th)ja---结环热阻 　　PD---漏极耗散功率 　　PDM---漏极最大允许耗散功率 　　PIN--输入功率 　　POUT---输出功率 　　PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） 　　to(on)---开通延迟时间 　　td(off)---关断延迟时间 　　ti---上升时间 　　ton---开通时间 　　toff---关断时间 　　tf---下降时间 　　trr---反向恢复时间 　　Tj---结温 　　Tjm---最大允许结温 　　Ta---环境温度 　　Tc---管壳温度 　　Tstg---贮成温度 　　VDS---漏源电压（直流） 　　VGS---栅源电压（直流） 　　VGSF--正向栅源电压（直流） 　　VGSR---反向栅源电压（直流） 　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） 　　VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） 　　Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） 　　VGS(th)---开启电压或阀电压 　　V（BR）DSS---漏源击穿电压 　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿