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　第四章　材料的凝固;下一节 ;第一节 液态结构; 现代液态金属结构理论认为，液态中原子是密集堆集的。从长程来说是无序、无规则排列的；而在短程范围内，原子某一瞬间是接近晶态的规则排列。;第二节凝固的热力学条件和过程; ??????????????????????????????????????????? ;在一定温度下，从液相转变为固相时的单位体积自由能变化为 式中GS、GL分别为固相和液相的单位体积自由能 式中HS、HL分别为固相和液相的热焓 在恒压条件下，熔化热Lm（在数值上等于结晶潜热）可定义为 Lm表示固相转变为液相时，体系向环境吸热，其恒为正值 ;;第二节?? 结晶的热力学条件 ;过冷现象;晶体材料凝固的一般过程;4.1.2 纯金属的结晶过程 ;第三节 晶核的形成;4.3.1 均匀形核;关系曲线如图所示 。 .;当 rrc 时，晶胚的长大使系统自由能增加，晶胚不能长大。当 rrc 时，晶胚的长大使系统自由能降低，这样的晶胚称为临界晶核，rc为临界晶核半径。 可见，过冷度 ΔT 越大， rc 越小，即形核的机率增加。形成临界晶核需要的能量称为临界晶核形核功 ΔGc,即 上式表明，形成临界晶核时液、固相之间的自由能差只能供给所需要的表面能的三分之二，另外的三分之一则需由液体中的能量起伏来提供。 ; 非晶核的形成 ;形成? 晶核所引起的体积自由能变化为 ;晶核形成时体系总的自由能变化为 ; △Gk非/△Gk=(2-3cosθ+cos3θ)/4 a θ=0时，△Gk非＝0，杂质本身即为晶核； b 180θ0时, △Gk非△Gk, 杂质促进形核； cθ=180时，△Gk非＝△Gk， 杂质不起作用。 ; ?（4）影响非均匀形核的因素 a 过冷度：所需过冷度较均匀形核时要小 b 外来物质表面结构：θ越小越有利。点阵匹配原理：结构相似， 点阵常数相近。 c 外来物质表面形貌：表面下凹有利 ;第四节 晶核的生长;第四节 晶核的生长 ;第四节 晶核的长大 ;3 晶体生长方式;第四节 晶核的长大 ;第四节 晶核的长大 ;第四节 晶核的长大 ;第四节 晶核的长大 ;;材料的凝固速度指的是凝固时固相体积随时间的增长率，它是由形核速度和晶体长大速度两个因素决定的??? 形核速度又称形核率，指的是单位体积的液相中，在单位时间内所形成的晶核数目，用N来表示（1 /m-2 · s）。 晶体长大速度通常指的是晶体的长大线速度，用vg来表示（m / s）。 大小为临界半径r*的晶核处于介稳状态，它们既可消散也可长大。只有r＞r*的晶核才可成为稳定晶核。 ;? ;R为气体常数.图3-5为N1、N2与ΔT的关系曲线。可见当 ΔT 不大时，形核率主要受形核功因子控制， ΔT 增大，形核率增大，在 ΔT非常大时，形核率主要受扩散因子的控制，随 ΔT 增加，形核率降低。 ;晶胚的最大尺寸随过冷度增大而增大，临界晶核半径、晶胚尺寸与过冷度的关系 ;形核率;晶体的长大速率;晶体的长大速率;4.5.2 凝固后的晶粒尺寸及其控制;凝固后晶粒尺寸的控制的途径;（2）加入形核剂 由于实际的凝固都为非均匀形核，为了提高形核率，可在熔液凝固之前加入一些细小的人工形核剂（也称孕育剂或变质剂），使之分散在熔液中作为不均匀形核所需的现成基底，这样能使晶核数目大大提高，晶粒显著细化，这种方法又称为孕育处理或变质处理。;凝固后晶粒尺寸的控制的途径