模拟电子技术Multisim仿真2单相整流滤波电路仿真.PPT

第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 6.1 二极管特性仿真实验 　　1．实验要求与目的　　(1) 测量二极管的伏安特性，掌握二极管各工作区的特点。　　(2) 掌握二极管正向电阻、反向电阻的特性。　　(3) 用温度扫描的方法测试二极管电压及电流随温度变化的情况，了解温度对二极管的影响。 　　2．实验原理　　半导体二极管主要是由一个PN结构成的，为非线性元件，具有单向导电性。一般二极管的伏安特性可划分成4个区：死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。 　　3．实验电路　　(1) 测试二极管正向伏安特性电路，如图6-1所示。 图6-1 测试二极管正向伏安特性电路 　　(2) 测试二极管反向伏安特性电路，如图6-2所示。 图6-2 测试二极管反向伏安特性电路 　　4．实验步骤　　(1) 测量二极管的正向伏安特性。　　按图6-1连接电路，按a键或Shift+a键改变电位器的大小，先将电位器的百分数调为0%，再逐渐增加百分数，从而可改变加在二极管两端正向电压的大小。启动仿真开关，将测量的结果依次填入表6-1中。 　表6-1 正向伏安特性测试结果　 　　结论：从表6-1中RD的值可以看出，二极管的电阻值不是一个固定值。当在二极管两端加正向电压时，若正向电压比较小，则二极管呈现很大的正向电阻，正向电流非常小，称为“死区”。当二极管两端