电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-6-2 半导体中光的吸收及光电效应.pptxVIP

第六章 光敏及光电器件6-2 半导体中光的吸收及光电效应主要内容一、半导体中光的吸收 1.本征吸收 2.杂质吸收二、光电效应 1.内光电效应 2.外光电效应一、半导体中光的吸收 半导体吸收光会产生附加的光生载流子，从而引起材料电导的变化。光生载流子的产生是由于半导体吸收了入射光的能量后使处于束缚态的电子或空穴激发到高能态而成为自由电子或自由空穴参与导电。光吸收分为本征吸收和杂质吸收。 1.本征吸收 本征吸收：当光照射半导体时，价带中的电子吸收足够能量的光子后被激发到导带成为自由电子，同时在价带中留下自由空穴，从而才产生了电子-空穴对，即光生载流子。 产生本征吸收的条件是光子的能量（hν）要大于半导体的禁带宽度Eg，即hν≥Eg 或λ≤hc/Eg一、半导体中光的吸收λ0≤1.24/Eg（6-1）一、半导体中光的吸收2.杂质吸收 光照射在掺杂半导体上时，束缚在杂质能级上的电子或空穴也能吸收光子能量而跃迁到导带或价带成为自由电子或空穴，常把这一过程称为杂质吸收。（N型）（P型） 由于同一种半导体材料的杂质电离能比禁带宽度小得多，因而杂质吸收的长波限比本征吸收的长波限大得多。二、光电效应 1.内光电效应 入射光子被半导体吸收后产生电子或空穴等光生载流子参与导电，从而引起半导体的电性质发生变化，这种性质称为内光电效应。 光电导效应：高阻半导体受光照射时，由于产生光生载流子，而使半导体的电阻率