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第二章 逻辑门电路 §2.1二极管的开关特性 一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程。 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程。其中ts称为存储时间，tt称为渡越时间，tre=ts+tt称为反向恢复时间。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制 二、产生反向恢复过程的原因-----电荷存储效应。 二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上是由于电荷存储效应所引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。一般开关二极管的反向恢复时间在纳秒（ns）数量级。 三、二极管的开通时间： 1、开通时间：二极管从截止转为正向导通所需的时间。这个时间同反向恢复时间相比是很短的，它对开关速度的影响很小，可忽略不计。 §2.2 BJT的开关特性 一、BJT的开关作用： BJT相当于一个由基极电流所控制的无触点开关，BJT截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。 二、BJT的开关时间：开通时间和关闭时间总称为BJT的开关时间。（几十至几百纳秒） 1、BJT的开关时间参数 2、开通时间ton(=td+tr)就是建立基区电荷时间。关闭时间toff(=ts+tf)就是存储电荷消散的时间。 §2.3基本逻辑门电路 一、二极管“与门”及“或门”电路 1、与门电路： 2、或门电路： 二、非门电路（BJT)反相器： 对于饱和型反相器来说，输入