te族化合物半导体相变 缺陷和界面结构分析-phase transformation defects and interface structure analysis of te compound semiconductors.docx

最高的肖特基势垒高度（SBH）0.571eV。通过TEM研究界面结构发现，在该退火温度下，AuTe2颗粒能够在Au/Hg3In2Te6界面处生成，该相具有简单正交结构，生长形态不规则且与基体之间没有确定的取向关系，推测这种AuTe2相的生成机制为定向附着机制。结合电学性能测试和能带结构分析可知，在Au/Hg3In2Te6接触界面处由于退火而形成的AuTe2相能够提高其SBH，其原因是由于该相的存在能够在Au与Hg3In2Te6之间引入的新缺陷能级，导致能带向上弯曲加剧，阻碍了界面载流子的传输，使接触势垒提高。采用TEM研究了CdZnTe单晶内部扩展缺陷的结构，计算并得到了CdZnTe的层错能，结果表明，CdZnTe内部存在两种类型的60°位错，通过绘制柏氏回路发现，两种位__错的分解反应分别为1/2[110]→1/6[211]+1/6[121]和1/2[101]→1/6[211]+1/6[112]，其形成机制分别为点缺陷的聚集和晶体中某一晶面的整体滑动。同时，发现CdZnTe内部的____层错是由位于(111)面上的柏氏矢量为[110]的全位错通过[110]→1/3[211]+SF+1/3[121]的位错分解而生成的，通过测量层错宽度，计算并得到了CdZnTe单晶的层错能为9.17mJ/m2。与Si、Ge等金刚石结构的半导体材料相比，CdZnTe的层错能较低，这是由于其内部键合离子性较高的原因。采用AFM、SEM和TEM等方法并结合电学性能测试，获得了化学抛光工艺对CdZnTe表面及其与Au接触界面结构和电学性能的影响规律，结果表明，在采用2%的Br–MeOH溶液对CdZnTe进行化学抛光4min后，其表面的划痕与缺陷已完全消失，同时表面出现了富Te层。TEM结果表明，Au/CdZnTe界面处由于晶格错配导致的非晶层在化学抛光4min之后完全消失，其原因是由于化学抛光所形成的富Te层与Au之间的晶格错配（9.2%）小于Au与CdZnTe之间的晶格错配（57.5%）。I-V特性测试结果表明，在经过4min化学抛光后，Au与CdZnTe之间的欧姆接触系数由0.4609升高至1.0904，表明其欧姆接触特性得到了改善。关键词Hg3In2Te6单晶；CdZnTe单晶；金属/半导体接触界面；相变机理；相变晶体学；扩展缺陷；高分辨透射电子显微镜；同步辐射光电子能谱；光电性能ABSTRACTBelongtoTegroupcompoundsemiconductors,Hg3In2Te6andCdZnTearethenewfunctionalmaterialswhichattractgreatattentionsinthefieldofuncoolednearinfraredorradiationdetectioninrecentyears.OwingtothestenosisofsinglephaseregioninHg3Te3-In2Te3system,themulti-phasetransformationduringthesinglecrystalgrowthprocessofHg3In2Te6isverycommonandwillnormallyleadtothechangeofitsphysicalproperties.ForCdZnTe,theextendeddefectsgeneratedduringthecrystalgrowthprocedurearethekeyfactorswhichaffectthecarriertransportproperties.Therefore,itisconsideredthatthephasetransformationandtheformationofextendeddefectsduringthesinglecrystalgrowthforbothHg3In2Te6andCdZnTehavegreatinfluenceonthedetectorperformance.Ontheotherhand,chemicalpolishingandfastannealingprocessaretheessentialprocessduringthefabricationofdevices.Thechangesofmetal/semiconductorinterfacestructuresaswellasthecontactpropertiescausedbytheabovetwoprocessareequallyimportant.Inthiswork,thephasetransformationmechanismsofHg3In2Te6andthestructuresofextendeddefe