现代半导体器件物理与工艺3.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 上述现象是由于砷化镓的能带结构，它允许传导电子从高迁移率的能量最小值(称之为谷)跃迁至低迁移率、能量较高的邻近谷中。电子沿着[111]方向，从中央谷中跃迁至邻近的谷中，如图所示。 由于在n型砷化镓中的这种漂移速度特征，这种物质常被利用在后面将要讨论的微波转移电子器件(transferred-electron device)中 EEa [111] [000] 0 价带 导带 GaAs EEb [111] [000] 0 价带 导带 GaAs EaEEb [111] [000] 0 价带 导带 GaAs 高谷 低谷 Eg 机理： 强电场效应 当半导体中的电场增加到超过某一定值时，载流子将得到足够的动能来通过雪崩过程（avalanche process）产生电子－空穴对，如图所示。考虑一个在导带中的电子1，假设电场足够高，此电子可在晶格碰撞之前获得动能。 当与晶格碰撞时，电子消耗大部分的动能来使键断裂，也就是将一个价电子从价带电离至导带，因而产生一个电子－空穴对2与2’。同样地，产生的电子－空穴对在电场中开始被加速并与晶格发生碰撞，它们将产生其他电子－空穴对，如3与3’和4与4’，依此类推，这个过程称为雪崩过程，它将导致p-n结的结击穿。 雪崩过程 ： Ec Ev Ec Ev 1 4’ 4 2 3 3’ 2’ 强电场效应 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 在x=∞的边界条件为 光照下，当表面复合在半导体样品的一端发生时，从半导体内部流至表面的空穴电流密度为qUs，如图。假设样品均匀光照，且载流子均匀产生。表面复合将导致在表面具有较低的载流子浓度。这个空穴浓度的梯度产生了一个等于表面复合电流的扩散电流密度。因此在x=0处的边界条件为 表面的少数载流子 因此在稳态下，微分方程式为 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 以上述的边界条件求得方程式的解为 右图为对一有限的S1r值上面方程式解的图示。当S1r →0，则pn(x)→pn0+τpGL，当S1r →∞，则 可见，表面的少数载流子浓度趋近于它的热平衡值。 连续性方程 x hv 表面复合 N型 0 Pn(x) Pn(0) Pn0 0 在半导体表面上，假如载流子具有足够的能量，它们可能会被发射至真空能级，这称为热电子发射过程。 图(a)显示一个被隔离的n型半导体的能带图。电子亲和力为qχ为半导体中导带边缘与真空能级间的能量差；而功函数q?s则为半导体中费米能级与真空能级间的能量差。由图(b)可见，假如一个电子的能量超过qχ ，它就可以被热电子式发射至真空能级。 热电子发射过程(thermionic emission process) 概念： 热电子发射与能带关系： 热电子发射 真空能级 真空 半导体 Ec Ef Ev qVn (a) 隔离N型半导体的能带图 qVn Ec Ef Ev (b) 热电子发射过程 电子分布 } 适合热电子发射 能量高于qχ的电子浓度可通过类似于导带电子浓度的表示法来获得，不过积分的下限为qχ ，而非EC，即 其中NC为导带中等效态密度, Vn为导带底部与费米能级间的差值。 描述与表征 连续性方程 例8：一n型硅晶样品，具有电子亲和力qχ=4.05eV及qVn=0.2eV，计算出室温下被热电子式地发射的电子浓度nth。假如我们将等效的q χ降至0.6eV, nth为多少？ 解: 根据上式，得： 可见在300K时，当qχ=4.05时并没有电子被发射至真空能级。但当qχ降至0.6eV，就会有大量的热电子被发射。热电子发射过程对于金属-半导体接触尤其重要。 连续性方程 图(a)显示当两个隔离的半导体样品彼此接近时的能带图。它们之间的距离为d，且势垒高qV0等于电子亲和力qχ。假如距离足够小，即使电子的能量远小于势垒高，在左边半导体的电子亦可能会跨过势垒输运，并移至右边的半导体。这个过程称为隧穿。 现象描述 隧穿过程 Ec Ef Ev d 真空能级 Ec Ef Ev (a) 距离为d的两个隔离半导体的能带图 B A E 0 C x 能量qV(x) (b) 一维势垒 qV0 qV0 基于图(a)，图(b)中重新画出其一维势垒图。首先考虑一个粒子(如电子)穿过