电路及电子学,电子工业出版社,第三版第9讲.pptVIP

4.3 双极型三极管 1. 晶体管的结构和类型 有NPN和PNP两种结构类型。核心部分都是两个PN结。 1. 晶体管的结构和类型 NPN型 1. 晶体管的结构和类型 PNP型 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 内部条件 外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 共射接法 (1) 晶体管的电流分配关系 (1) 晶体管的电流分配关系 电流iC由两部分组成： 一部分是ICEO，它是iB=0时流经集电极与发射极的电流，称为穿透电流。 (2) 晶体管的放大作用 晶体管放大作用的本质： iB对iC或iE的控制作用。 (3) 关于PNP型晶体管 PNP管与NPN管之间的差别： (1)电压极性不同。 (2)电流方向不同。 3. 晶体管的特性曲线 晶体管特性曲线是表示晶体管各极间电压和电流之间的关系曲线。 ⑴ 共射输入特性 uCE为一固定值时，iB和uBE之间的关系曲线称为共射输入特性，即 输入特性有以下几个特点： 当uCE=0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似。 ⑵ 共射输出特性 iB为固定值时，iC和uCE之间的关系曲线称为共射输出特性，即 ⑵ 共射输出特性 截止区: 指iB≤0，iC≤ICEO的工作区域。在这个区域中，电流iC很小，基本不导通，故称为截止区。工作在截止区时，晶体管基本失去放大作用。 ⑵ 共射输出特性 饱和区: 指输出特性中iC上升部分与纵轴之间的区域。饱和区特性曲线的特点是固定iB不变时，iC随uCE的增加而迅速增大。 ⑵ 共射输出特性 饱和区是对应于uCE较小（uCEuBE）的情况。这时集电结和发射结都处于正向偏置（uBEUr，uBC0)。 ⑵ 共射输出特性 放大区: 输出特性上在饱和区和截止区之间的区域为放大区。在这个区域里，iB0，uCEuBE，即发射结是正向偏置，集电结是反向偏置。 4. 晶体管的主要参数 ⑴ 电流放大系数 表示集电极负载短路（即uCE保持不变）的条件下，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，即 ⑶ 极限参数 ① 集电极最大允许耗散功率PCM ① 集电极最大允许耗散功率PCM 曲线的左下方均满足此之此PCPCM条件。 ② 反向击穿电压 反向击穿电压是指各电极间允许加的最高反向电压。 U(BR)CBO是发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO是基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电压。 U(BR)EBO是集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压。 ③ 集电极最大允许电流ICM 集电极电流如果超过ICM，晶体管的放大性能就要下降甚至可能损坏。 PCM、U(BR)CEO和ICM三个极限参数，决定了晶体管的安全工作区。 * 3AX31 3DG6 3AD6 (a)外形示意图 c集电极 b基极 集电区 N P基区 发射区 N 集电结 发射结 e发射极 NPN型 e b c c集电极 b基极 集电区 P N基区 发射区 P 集电结 发射结 e发射极 PNP型 e b c Rb VBB VCC Rc iB iC b e c N P N uBE uCE iE uBC + + + － － － C B E i i i + = 令： iB’ iE iCn ICBO iE iB Rb VBB VCC iC 各极电流分配情况 系数 代表iB对iC的控制作用的大小， 越大，控制作用越强。 另一部分是 ，它表示iC中受基极电流iB控制的部分。 VBB VCC b c e iB iC iE (a) NPN型 VBB VCC b c e iB iC iE (b) PNP型 NPN型和PNP型晶体管电路的差别 b c e iB iE iC uBC uCE uBE + - + - + - NPN型晶体管的电压和电流参考方向 iC+iB=iE uCE =uBE－uBC 通常是以发射极为公共端，画出iC、iB，uCE和uBE四个量的关系曲线，称为共射极特性曲线。 iB(mA) uBE(V) 0.2 0.4 0.6 0.8 0.02 0.04 0.06 0.08 0 uCE = 0V 1V 5V 3DG4的输入特性 20℃ uCE增加，特性曲线右移。 uCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。 (a)3AX1的输出特性 iC(mA) -uCE(V) iB = 0 0.02mA 0.04mA 0.06mA 0.08mA 0.10mA 0.12mA 0.14mA 0.16mA 0.18mA 放 大 区 截止区 饱和区 2 0 4 6 8 20℃ 2 6 8 10 12 晶体管的输