第八章 半导体存储器和可编程序逻辑器件.pptVIP

第八章 半导体存储器和 可编程逻辑器件 目标 在这一章里，你将学习： 8.1 只读存储器(ROM) 8.2 随机存储器(RAM) 8.3 可编程逻辑器件PLD 第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 内容提要： 本章主要介绍存储器、ROM和RAM的概念及分类，ROM和RAM的电路结构，存储单元；可编程器件PLD的概念、表示方法和分类，PAL、GAL的结构。 8.1 只读存储器(ROM) 8.1.1 固定ROM 8.1.2 一次可编程ROM 8.1.3 光电可擦除可编程ROM 8.1 只读存储器(ROM) 存储器是用来储存程序和数据等信息的部件。按照其读写功能的不同，半导体存储器可分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM，也称为读写存储器)。 只读存储器ROM一般用来存放固定信息，不能随意修改。 根据制造工艺的不同，ROM分为二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM三种。根据编程方法的不同，ROM可分为固定ROM和可编程序ROM。 8.1.1 固定ROM 固定ROM在制造时，采用掩模技术把数据写入存储器，因此，固定ROM又称为掩模ROM，一旦ROM制造成功，其数据也就固定不变。 ROM的一般结构图如图所示，它由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三个部分组成。 8.1.1 固定ROM 一个22×4位二极管ROM电路如图所示， 称为地址线， 称为字线， 称为位线。 8.1.1 固定ROM 在二极管ROM电路图中，如果用晶体管或者MOS管来代替存储矩阵电路中的二极管，就变成了晶体管ROM电路或者MOS管ROM电路。 8.1.2 一次可编程ROM 固定ROM采用掩模技术，其数据固定，不能修改。为了能自己修改ROM中的数据，出现了可编程ROM（PROM）。 PROM只能进行一次编程，也就是说，其修改是破坏性的。 8.1.３ 光电可擦除可编程ROM 为了能多次改写ROM所存储的内容，又出现了可擦除可编程只读存储器，也称为EPROM。 N沟道MOS管也称为SIMOS管，EPROM就是利用这种SIMOS管来代替PROM的熔丝(或者PN结)做成的。 8.2 随机存储器 8.2 .1 RAM的基本结构 8.2.2 RAM的存储单元 8.2.3 集成RAM介绍 8.2 随机存储器 随机存储器RAM，也称为读写存储器，工作时它能够从任意存储单元里读出数据，也能将数据写入到任意选中的存储单元。停电后，RAM里存储的所有信息都将丢失，RAM是易失性存储器。 按照工作方式的不同，RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。按照所使用的器件不同，RAM又分为双极型RAM和MOS型RAM两种。 8.2.1 RAM的基本结构 RAM电路的基本结构图如图 8.2.1 RAM的基本结构 1．存储矩阵 存储矩阵由许多存储单元构成，存储单元通常排成矩阵的形式，每个存储单元存放１位二进制数据。存储器以字为单位组织内部结构，一个字含有若干个存储单元，１个字所包含存储单元的个数称为字长，存储器的字长也叫存储器的位数。字数与字长的乘积叫做存储器的容量，存储器的容量越大，存储的信息就越多。 8.2 .1 RAM的基本结构 8.2.1 RAM的基本结构 2．地址译码器 存储器是以字为单位进行访问，为了区分不同的字单元，将每一个字单元赋一个代号，称为地址。 地址译码器的作用是将输入的地址译成相应的控制信号，这些控制信号通过输出缓冲器访问存储矩阵中的存储单元。 8.2.1 RAM的基本结构 3．输入／输出控制电路 输入/输出控制电路用来对电路的工作状态进行控制 8.2.2 RAM的存储单元 1．六管静态存储单元 六管静态存储单元(SRAM)的电路如图 8.2.2 RAM的存储单元 2．单管动态存储单元 单管动态存储单元(DRAM)的电路如图 8.2.3 集成RAM介绍 1．常见的集成SRAM芯片有: 1K×4位,如Intel 2114；2K×8位,如Intel 2118,6116；4K×8位,如Intel 6132,6232 ；8K×8位,如Intel 6164,6264,3264,7164；32K×8位,如Intel 61256, 62256,71256； 64K×8位,如Intel 64C512,74512等 ２．常见的集成DRAM芯片有: 8K×8位，如Intel 2186/2187；16K×1位, 如Intel 2116；