硅基集成光栅耦合器及其偏振无关特性分析-silicon - based integrated grating coupler and analysis of its polarization independent characteristics.docx

华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文IVIVdevice is lower than 0.05 dB and the coupling efficiencies for both TE and TM modes are higher than 50%. High-efficiency polarization-independent coupling is achieved.A compact polarization-independent silicon-based hybrid integrated photodetector is accomplished by using the T-shaped grating coupler. Over a broad band of 1490 nm-1560 nm, the PDL of the device is lower than 0.05 dB and the coupling-in-active-layer efficiencies for both TE and TM modes are higher than 80%. Polarization independence of the photodetector is achieved.Another method of realizing polarization independence, polarization beam splitting is introduced. A polarization beam splitter (PBS) based on a slot-groove grating is proposed. Over a broad band of 1530 nm-1630 nm, the extinction ratio (ER) of the PBS is higher than 15 dB and the device has accomplished polarization beam splitting function.Key words： Silicon photonics Grating coupler Polarization independence Silicon-based hybrid integration Polarization beam splitting独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他 个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集 体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期： 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□， 在 年解密后适用本授权书。 不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名： 指导教师签名：日期： 年 月 日 日期： 年 月 日华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 PAGE 10 PAGE 101 绪论本章从微电子技术所面临的挑战和硅基光子学的发展出发，介绍光栅耦合器在 硅基集成系统中的应用和发展，并对集成光学器件的偏振无关特性进行介绍，引出 偏振无关硅基集成光栅耦合器的重要意义和光明的研究前景，最后对本文的相关工 作进行简要的阐述。1.1 引言1.1.1 微电子技术所面临的挑战1957 年，J. S. Kilby 发明了第一块集成电路，开启了信息时代的大门。之后的50 多年里，电子信息技术得到了飞速的发展，并深刻的改变了人类生产与生活的方 式，其巨大影响力还将不断的影响着人类未来的发展[1~3]。如今的电子信息技术已经 实现了微纳尺寸器件、超大规模集成度的集成微电子学系统，并能够实现超高速计 算、大量信息处理等多样化的功能。随着 CMOS 电子加工工艺的发展，微电子器件 的尺寸越来越小，其运算速度在不断提高，而能量损耗和制造成本则在不断降低。 1965 年所提出的“摩尔定律”，预测了近半个世纪以来，微电子技术的惊人发展速度：半导体芯片的集成度每 18 个月增长一倍，而价格则下降一半[4]。根据国际半导体技 术蓝图(International Technology Roadmap for semicond