硅基apd近红外敏感增强的分析-analysis of near infrared sensitivity enhancement of silicon-based apd.docxVIP

下载本文档

2
0
约4.57万字
约 56页
2018-07-05 发布于上海
举报
版权申诉

硅基apd近红外敏感增强的分析-analysis of near infrared sensitivity enhancement of silicon-based apd.docx

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

硅基apd近红外敏感增强的分析-analysis of near infrared sensitivity enhancement of silicon-based apd

IIIIAbstractAbstractAs the development of laser technology and photon detection technology based on near infrared,improving the APD near-infrared sensitive and quantum efficiency, especially at1064 nm, is particularly urgent. The purpose of this paper is to improve near-infrared sensitive quantum efficiency of the Silicon-Base SACM-APD.First , based on the technology of sulfur doping, this paper analyses the reasons of the absorption properties changing of the sulfur doped silicon. This paper also modeled The molecular structure of sulfur doping silicon material . We then deducing the mechanism of Fermi level under different doping concentration of S.Secondly, this paper optimized the structure of a SACM p-n junction, improved the p-n structure of APD and the p-n junction depth and the reverse breakdown bias voltage and current with Silvaco software. Achieved in a lower biased voltage trigger an avalanche.Finally, this paper optimized the thickness of the absorbing layer ,calculation photon detection efficiency of each layer, improvemed the quantum efficiency at1064 nm .Keywords: APD，SACM，Silicon，Doping，Near-infrared Sensitive目目录 PAGE PAGE IV目录摘要 IABSTRACT II第 1 章绪论 11.1 课题背景 11.2 国内外研究现状21.2.1 APD 的发展概况 21.2.2 不同材料 APD 的性能特点 51.3 论文的主要研究内容 6第 2 章 SACM 结构理论基础 72.1 SACM 结构的倍增参数 72.2 费米能级 102.3 器件表面的反射和折射 122.4 光子的吸收 132.4.1 阴极层吸收探测过程 152.4.2 外延层吸收探测过程 162.4.3 基底处电子的探测过程 172.5 量子效率的计算172.6 本章小结 18第 3 章器件结构优化模拟 19 HYPERLINK \l _TOC_250006 3.1 S 掺杂 SI 吸收特性改变的原因 19 HYPERLINK \l _TOC_250005 3.1.1S 掺杂 Si 的原子结构 19 HYPERLINK \l _TOC_250004 3.1.2S 掺杂 Si 费米能级的变化 21 HYPERLINK \l _TOC_250003 3.1.3 S 掺杂 Si 能带结构的分析 23 HYPERLINK \l _TOC_250002 3.2 不同施主杂质浓度对 P-N 结的影响 243.2.1 结构优化 253.2.2 雪崩击穿电压的模拟 27 HYPERLINK \l _TOC_250001 3.3APD 器件的有效面积 283.4 本章小结 32第 4 章探测效率的模拟 334.1 量子效率的计算33 HYPERLINK \l _TOC_250000 4.2 光子在 SI 中的吸收 374.3 量子效率的优化 404.4 本章小结 44结论 45参考文献 46哈尔滨工业大学学位论文原创性声明及使用授权说明 .. 错误！未定义书签。致谢 51哈尔滨工业大学理学硕士学位论文哈尔滨工业大学理学硕士学位论文-- 第 1 章绪论1.1 课题背景光探测技术在当今时代是普遍应用