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cmos样卷
《模拟CMOS集成电路设计》课程试卷（A）卷
考试形式 闭 卷 年 月
院系：电子信息学院 年级 专业
学号： 姓名 成绩
1． 以NMOS为例，简要说明何谓沟道长度调制效应。（10%）
2． MOS管的跨导对于由MOS管构成的电路性能有重大的影响，试分析MOS管工作与饱和区时，以下三种情况下，跨导随着某一个参数变化，而其他参数保持恒定时的特性，画出相应曲线。
（1）W/L 不变时，gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线；
（2）W/L 不变时，gm 与 ID 的变化曲线；
（3）ID 不变时，gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线；（共15％）
3．对于下图所示的电路，画出IX 和晶体管跨导关于VX 的函数曲线草图，VX 从0变化到1.5 V 。 （10％）
4．假定以下电路中的MOS管都工作于饱和区，计算该电路的低频小信号电压增益，输入阻抗以及输出阻抗，假定λ≠0，γ＝0。（10％）
5．试分析以下所示电路的高频率响应特性
（1）求传递函数H(S)；
（2）求输入阻抗；
（3）??输出阻抗；（10％）
6．求以下电路的输入参考热噪声电压，假定λ＝0，γ＝0。（15％）
7. 下图为带有反馈系统的一级运算放大器，试分析以下电路：（20％）
（1）判断反馈的类型；
（2）求该反馈系统的环增益；
（3）求闭环时的小信号增益；
（4）求闭环时的输入和输出阻抗。
8. 试画出带隙基准的构成原理框图，做简单说明，并且说明带隙的含义。（10％）
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