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三氯氢硅合成中湿法除尘工艺探讨及优化 　　摘 要：本文主要介绍了湿法除尘的原理及效果、三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的除尘效果。并结合实际运行情况介绍三氯氢硅合成工艺中的湿法除尘的运行情况；探讨并分析湿法除尘在三氯氢硅合成中存在的缺陷及问题；提出改进三氯氢硅合成工艺中湿法除尘的一些意见和措施。 　　关键词：三氯氢硅合成 多晶硅 硅粉 湿法除尘 优化 　　在多晶硅生产工艺中，三氯氢硅合成是必不可少的，是为多晶硅生产提供原料的关键工艺。在三氯氢硅合成过程中，采用固体硅粉和气体氯化氢在流化床反应器内进行反应，反应产物为气固混合物，需进行气固分离。如果生产过程中除尘效果不佳，易造成后续系统堵塞，影响整个工艺的正常运行。因此，三氯氢硅合成中，除尘是很关键的，良好的除尘效果将能保障生产稳定可靠的运行。在三氯氢硅合成工艺中，除尘工艺一般有旋风、布袋、湿法除尘三种工艺。本文主要研究三氯氢硅合成中旋风除尘与湿法除尘工艺相结合的运行情况、存在问题及一些优化措施。 　　一、三氯氢硅合成工艺介绍 　　三氯氢硅，多晶硅生产原料；在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明有毒液体。在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成SiO2.HCl和Cl2；遇水易潮解，遇潮气时发烟，与水激烈反应：2SiHCl3+3H2O―→ （HSiO）2O+6HCl，生存的（HSiO）2O极易堵塞管道。可见，三氯氢硅的特殊性质对工艺中的湿法除尘要求跟高，难度更大。 　　三氯氢硅一般采用硅粉和氯化氢在流化床反应器中进行反应，反应温度一般控制在280-340℃，生成三氯氢硅、四氯化硅、二氯氢硅及少量金属氯化物等混合物。一定粒径的硅粉颗粒在气体氯化氢的带动下进入流化床反应器，在流化床反应器中进行流化、加热升温，达到反应温度后开始反应。反应开始后通入冷媒将多余的热量带走，通过控制冷媒流量保持反应持续进行。硅粉采用间断进料，保证流化床反应器内的反应床层高度。反应生成的混合气体经过旋风除尘器、湿法除尘装置进行除尘，除尘后的混合气体进行深度冷凝后得到初的三氯氢硅产品。本工艺中采用了旋风除尘和湿法除尘相结合的除尘工艺。在实际生产中，工艺中由于混合气体中存在大量的硅粉颗粒，除尘效果不佳容易造成后续系统管道堵塞，影响整个系统正常运行。其工艺简图如下： 　　二、湿法除尘的原理 　　湿法除尘技术，也叫洗涤式除尘技术，是一种利用水（或其他液体）与含尘气体相互接触，伴随有热、质的传递，经过洗涤使尘粒与气体分离的技术。湿法除尘与干式除尘相比：设备投资少，构造比较简单；净化效率较高，能够除掉0.1μm以上的尘粒。在除尘过程中还有降温冷却、增加湿度和净化有害有毒气体等作用，非常适合于高温、高湿烟气及非纤维性粉尘的处理，还可净化易燃、易爆及有害气体。缺点是：要消耗一定量的水（或液体）；粉尘的回收困难；受酸碱性气体腐蚀，应考虑防腐；粘性的粉尘易发生堵塞及挂灰现象；冬季需考虑防冻问题；除尘过程会造成液体的二次污染。因此，湿法除尘适用于处理与液体不发生化学反应、不发生粘结现象的各类粉尘及南方地区。遇有疏水性粉尘，单纯用清水会降低除尘效率，往水中加净化剂可大大改善除尘效果。 　　三、三氯氢硅合成中的湿法除尘工艺 　　三氯氢硅合成工艺中湿法除尘主要采用重力喷雾湿式除尘器。主要使用液态氯硅烷对反应气体进行淋洗（氯硅烷与硅粉不发生反应），由于返回淋洗的物料经过冷却，温度较低，对合成气体除了有除尘效果外，还有降温及去除混合气体里面金属氯化物的作用，避免大量金属氯化物进入冷凝器，堵塞设备管道[1]。三氯氢硅合成中的淋洗器结构一般为填料式湿式除尘器，容器内部设置有规整填料，确保淋洗液体与合成气能能好的接触，底部进口管道设置气体分布器，确保进入气体均匀分布，保证充分的淋洗效果。其结构如下图： 　　四、湿法除尘工艺中的问题及优化措施 　　在淋洗过程中，大量的粉尘被淋洗沉积在淋洗器底部。如果控制不好淋洗效果，将会影响后续系统堵塞及淋洗器底部堵塞。 在实际生产运行中，根据淋洗器大小、结构和淋洗物料的性质进行淋洗，才能更好达到淋洗效果。但是，湿法除尘不能达到100%去除粉尘的作用，因此，在实际生产中要注意检查后续系统情况，以免发生堵塞。 　　1.湿法除尘在实际运行过程中存在的问题 　　实际生产过程中，湿法除尘存在以下问题： 　　1.1淋洗过程中，由于氯硅烷的性质特殊，若淋洗形成的含硅残液硅粉含量过高，处理含硅残液时很困难，在处理过程中极易发生管道着火爆炸，损坏设备； 　　1.2在淋洗过程中，若进入系统粉尘含量过多，湿法除尘效果不佳；将导致后续系统出现大量粉尘。由于淋洗粉尘含量增加，导致淋洗温度升高，影响金属氯化物的去除效果，导致后续出现堵塞，影响生产运行； 　　1.3粉尘含量过多会