工艺技术9-双极型集成电路工艺技术.pptVIP

多晶硅发射极晶体管杂质分布 多晶硅发射极双极工艺(1) 多晶硅发射极双极工艺(2) 多晶硅发射极双极工艺(3) 模拟双极IC工艺特点(1) 器件特性的精度要求高 　组成差分对的晶体管特性如?,Vbe一致性好 要求晶体管有较大的放大倍数　?100 要求输出晶体管有较大的驱动能力 　 　Vce(sat)小, 例：0.11-0.21mV(Ic=1mA,Ib=100uA) 要求晶体管的线性度好 ?(1uA)/ ?(100uA) 例： 70-110% 模拟双极IC工艺特点(2) pnp晶体管 横向和纵向pnp晶体管 电容 大容量 MOS电容0.35-0.5fF/um2 电阻 宽范围 扩散电阻10-100?/sq　 　注入电阻0.5-2 k?/sq 　夹断电阻 5-20 k?/sq 纵向pnp晶体管 P Sub P+ 埋层 P+ P+ n+ 基区n n-epi n+埋层 （五）工艺和器件模拟在工艺设计中的应用 双极工艺模拟(SUPREM3) TITLE: Bipolar Device(SB20A): Active Region. # Initialize the silicon substrate. Initialize 111 Silicon Boron Resistivity=15 Thick=10. \ dX=.02 xdX=.05 Spaces=200 # Grow initial oxidation=7500A Diffusion Temperature=1100 Time=70 WetO2 # Etch the oxide over the buried layer regions. Etch Oxide # Grow implanted oxide (175A) for BN layer oxidation Diffusion Temperature=875 Time=20 DryO2 # Implant and drive-in the antimony buried layer Implant Antimony Dose=4.8e15 Energy=75 Diffusion Temperature=1225 Time=360 N2 Diffusion Temperature=1225 Time=120 DryO2 双极工艺模拟(SUPREM3) Etch Oxide # Grow 9.5 micron of phosphorus doped epi. Epitaxy Temperature=1180 Time=13 Growth.Rate=0.8 \ Phosphorus Gas.Conc=3e15 # EPI initial oxidation Diffusion Temperature=1100 Time=120 WetO2 # ISO photo # ISO implant oxidation Diffusion Temperature=1000 Time=200 DryO2 # ISO implant Implant Boron Dose=5E15 Energy=130 # ISO pre- drive Diffusion Temperature=1175 Time=180 Nitrogen # ISO drive Diffusion Temperature=1100 Time=60 WetO2 双极工艺模拟(SUPREM3) # Deep collector pre-dep Diffusion Temperature=980 Time=45 c.phosphorus=5e18 # Getter oxidation Diffusion Temperature=900 Time=60 DryO2 # Deep collector drive Diffusion Temperature=1200 Time=150 DryO2