直拉单晶中的杂质.ppt

影响单晶硅中氧沉淀形成、结构、分布和状态的因素： 初始氧浓度时决定氧沉淀的主要因素之一。 热处理温度降低、热处理时间延长或碳浓度增加，能使整个曲线向左移动，氧沉淀形成的浓度阀值降低，即使是较低的氧浓度也能形成氧沉淀。反之，则曲线向右移动，氧沉淀形成的浓度阀值升高。 影响氧沉淀的另一个因素是热处理的温度。因为氧在硅中的固溶度随温度的下降而不断下降。所以，具有一定浓度的氧在不同温度时的过饱和度是不同的，这是氧沉淀产生的必要条件。 当温度较低时，间隙氧的过饱和度大，形核驱动力强，但是氧的扩散速率较低。但温度较高时，氧的扩散速率大，易于形成氧沉淀，但是间隙氧的过饱和度小，形核驱动力弱。因此，在不同温度下的氧沉淀是氧的过饱和度和氧扩散竞争的结果。 在一定温度下，热处理时间是决定氧沉淀的重要因素。 ①氧沉淀少量形成，表现出一个孕育期； ②氧沉淀快速增加； ③氧沉淀增加缓慢，接近饱和。 （1）氧沉淀形成时，晶体硅中的点缺点、杂质、掺杂剂都可能提供氧沉淀的异质核心影响氧浓度的形成；太阳电池用直拉单晶硅一般是硼掺杂p型晶体硅，研究表明重掺杂硼能够促进氧沉淀。 （2）对于太阳电池直拉单晶硅及电池工艺而言，其常用热处理气氛有高纯的氩气、氮气、氧气、氨气等。 氮化气氛对氧沉淀有促进作用，这是因为硅片氮化可能产生大量的空位扩散到体内，对氧沉淀有促进作用。 氮化气氛对氧沉淀有促进作用，这是因为硅片氮化可能产生大量的空位扩散到体内，对氧沉淀有促进作用。 5.1.3.2 原生氧沉淀 氧沉淀不仅产生与硅器件制备工艺的热处理过程中，而且存在于原生的直拉单晶硅中，当晶体硅生长完成后，需要冷却至室温后取出。通常收尾完成后就断电冷却。此时，晶体尾部刚完成的部分能迅速降温，而晶体头部、中部在晶体生长器件在炉内的时间较长，相当于经历了一定程度的热处理。 原生氧沉淀的生成和晶体生长加工工艺紧密相关，这些原生氧沉淀不仅可以与硅晶体中的点缺点作用，改变原生缺陷的性质，而且可以作为核心，影响后续氧沉淀的性质。 由图5.11可知，在热处理在热处理前原生氧浓度为9.3×1017cm-3，热处理后氧浓度增加，变为9.6×1017cm-3，这是由于原生单晶硅中的氧沉淀溶解，重新以间隙态存在于单晶硅中，所以氧浓度增加。 对于太阳电池用直拉单晶硅，一般对晶体生长过程不需要精密控制。另外，还可以容忍少量位错，因此，从降低成本的角度出发，太阳电池用硅材料的晶体生长速度比较快，故冷却速度也快，晶体硅在炉内经过的原位热处理也少，所以与集成电路用单晶硅硅相比，可能具有较少的原生氧沉淀，特别是小直径的直拉单晶硅。 但是，对于大直径的单晶硅，如200mm的直拉单晶硅，晶体生长速度即使相对较快，由于总的晶体生长时间延长，单晶硅特别是头部和中部部分在晶体生长炉内的时间也延长了，原生氧沉淀的影响就难以忽略。 5.1.3.3 氧沉淀的形态 温度时决定氧沉淀的主要因素。图5.9所示为直拉单晶硅的氧沉淀在不同热处理温度下形成情况。 在低温热处理时，间隙氧的过饱和度大，形核临界半径小，氧沉淀易于形核且沉淀密度大。但是由于温度较低，氧的扩散慢，所以氧沉淀的核心小。该温度区间又称为“氧沉淀形核”温度。 在该温度区间，此时氧沉淀的形态主要是棒状，又称针状或带状，认为是有SiO2的高压相柯石英所构成。 有研究者认为棒状沉淀不是氧沉淀，而是一种棒状的硅自间隙团，即晶体硅。中自己安息原子团在局部变成六方晶型的硅结构 中温热处理时，氧的过饱和度大，扩散能力也强，氧沉淀的核心极易长大，氧沉淀量大增，此时的热处理温度区间又被称为“氧沉淀长大”温度。 高温热处理时，氧的扩散速率大，利于氧沉淀的形成和长大；但是，此时的氧过饱和度低，氧沉淀的驱动力弱，沉淀的临界形核半径大，所以实际生产的氧沉淀很少；而且热处理温度高，导致小于临界形核半径的氧沉淀核心会收缩，重新溶入硅基体中去，从而使氧沉淀的核心密度小，最终氧沉淀量较少。 在实际退火中，并不是只出现一种形态的氧沉淀，而是可能会有两种氧沉淀形态同时，只是其中一种占主要而已。 5.1.3.4 太阳电池用直拉单晶硅的氧沉淀 拉晶速度慢，故冷却速度也慢，在晶体生长炉内原位热处理的时间也长；同时，熔硅和坩埚接触的时间长，进入融硅的氧杂质相对较多。 拉晶速度快，故冷却速度也快，可以认为在炉内经历的热处