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第8章 III-V族多元化合物半导体
第8章 III-V族多元化合物半导体
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
杂质工程和能带工程
杂质工程:通过对杂质及其浓度在半导体中
空间分布的有效控制来实现半导体的实用价
值。
原位掺杂:在制备材料中掺入杂质
常规掺杂:采用
掺杂
合金、扩散、离
子注入
后掺杂:已制成的晶
锭、晶片、薄层中引 嬗变掺杂:将半导
入杂质 体中的同位素嬗变
吉林大学电子科学与工程学院 为杂质 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
扩散和离子注入
是两种最常用的常规掺杂方法
适用于对半导体晶片或薄层进行局部电阻率控
制或载流子寿命控制
是器件制造的核心工艺
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
扩散
基本的工艺过程
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
离子注入
注意:在注入过程中硅片保持在室温,然而注入
后需要进行激活(大于900度)以减少缺陷
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
杂质工程和能带工程
能带工程:对材料的能带结构进行合理的
“裁剪”(包括带隙、带结构),实现半导
体更加丰富多彩的实用价值。
主要内容包括:
固溶体半导体材料
超晶格、量子结构材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
1、固溶体半导体材料
固溶体半导体概念
固溶体基本特征
带隙展宽
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