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高效太阳能电池制作工艺 2007-05-08 13:53(1) 光陷阱光面的太阳电池表面对太阳光的反射率在35％以上，如果不做处理，则太阳电池的短路电流势必很低，无法达到高效性能。为了降低反射，采用光陷阱结构非常必要。目前，对于高效单晶硅电池，可采用光刻倒置金字塔结构和化学腐蚀制绒面。倒置金字塔结构虽然对光线有更好的作用，但是光刻法成本较高，不适合在生产上使用。由于单晶硅材料在碱性腐蚀液里进行腐蚀时，（100）面的腐蚀速度快于（111）面，如果将单晶硅片（100）面作为电池的表面，经过腐蚀后就会出现以四个（111）面形成的金字塔结构。由于化学腐蚀法容易控制、成本低廉、便于大规模生产，所以目前高效硅太阳电池工业化生产都是采用这种方法制绒面。采用这种金字塔结构的电池，其表面反射率会降至10％以下。(2) 减反射膜为了进一步减少入射光损失，可在电池的表面上蒸镀减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。减反射膜本身的折射率和厚度对其减反射效果具有决定性作用，它们要满足以下关系[42]：单层减反射膜: ????式中n0为进入减反射膜前介质的折射率，n1为单层减反射膜的折射率，n2为硅的折射率，t为减反射膜的厚度。????双层减反射膜： ????? 式中n0为进入减反射膜前介质的折射率，n1、n2为双层减反射膜的折射率，n3为硅的折射率，t1、t2为双层减反射膜的厚度。对于单晶硅电池来说，一般可以采用TiO2、SiO2、SnO2、ZnS、MgF2单层或双层减反射膜。在制好绒面的电池表面上蒸镀减反射膜后可以使反射率降至2％左右。减反射膜不但能减少光反射，提高电流密度，还可以保护电池不被污染，防止电极变色，提高电池的稳定性。 (3) 钝化层钝化工艺是制造高效太阳电池的一个非常重要的步骤，在一定程度上说，它是衡量高效电池的重要标志。对于没有进行钝化的太阳电池，光生载流子运动到一些高复合区域后，如表面和电极接触处，很快就被复合掉，从而严重影响电池的性能。采取一些措施对这些区域进行钝化后可以有效地减弱这些复合，提高电池效率。一般来说，高效太阳电池可采用热氧钝化、原子氢钝化，或利用磷、硼、铝表面扩散进行钝化。热氧钝化是最普遍最有效的一种方式，在电池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止载流子在表面处的复合。除此之外，氧化硅层还可以起到减反射膜、化学镀的掩膜、防止硅片污染等作用。目前，采用TCA（三氯乙烯）工艺生长的氧化硅层钝化效果较高。利用原子氢对电池也有很好的钝化，一般认为，硅的表面有大量的悬挂键，这些悬挂键是载流子的有效复合中心，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。利用PECVD和“alneal”工艺可以在硅片的界面处产生原子氢，因为PECVD法发展较成熟，这里不做介绍。“alneal”工艺是指在正面的氧化层上蒸镀铝膜，然后在370 ℃的合成气氛（4％H2+96％N2）中退火30 min，最后用磷酸腐蚀掉这层铝膜。经过“alneal”工艺后，载流子寿命和开路电压都得到较大提高。这种工艺的原理是，在一定温度下，铝和氧化物中OH-离子发生反应产生了原子氢，从而对Si/SiO2的界面的一些悬挂键进行钝化。利用磷、硼或铝在电池的表面进行扩散，形成背场，迫使少数载流子远离表面，减少复合几率，这也是一种钝化。(4) 背场增加背电场是提高电池效率的有效途径。如在p型材料的电池中，背面增加一层p+浓掺杂层，形成p+-p的结构，那么在p+-p的界面就产生了一个由p区指向p+的内建电场。假设p+区杂质强电离，那么这个内建电场的电压为 ，式中NA+和NA分别为p+区和p区的电离杂质浓度。由于这个内建电场所分离出的光生载流子的积累，形成一个以p+端为正，p端为负的光生电压，这个光生电压与电池结构本身的pn结两端的光生电压极性相同，从而提高了开路电压Voc。另外，由于背电场的存在，使光生载流子受到加速，这也可以看作是增加了载流子的有效扩散长度，因而增加了这部分少子的收集几率，短路电流Jsc也就得到提高。另外，背电场的存在迫使少数载流子远离表面，复合率降低，使暗电流减少。制作背面场的方法较多，如蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散等。其中，在电池背面采用定域扩散制背场具有较好的优越性，既产生了内建电场，同时又减少了电极与基体接触面积，使金属与半导体界面的高复合速率区域大大减少。并且相对于背面全扩散浓掺杂结构，定域掺杂由于大大减少了浓掺杂面积（一般只占全背面积的1～2％），所以也大大降低了背面的表面复合，因而更好地提高了太阳电池的性能。(5) 改善衬底材料????制备高效太阳电池首要就是选择高质量的硅片作衬底，如一些实验室制作的高效电池都是采用FZ硅。但是这种硅片成本很高，不宜于大规模生产。高效太阳电池的发展