2015第9次课第七章半导体异质结激光器讲解ppt课件.ppt

第七章 半导体异质结激光器;7.1.1 半导体激光器的特点和优势;Laser characteristics;光存储;7.1.3 半导体激光器的发展;7.1.4 实现激光器三个要素;7.2.1 激光材料的选择;7.2.2 自发发射和受激发射; 在量子电动力学的基础上可以证明：受激辐射光子与入射(激励)光子属于同一光子态；或者说，受激辐射场与入射辐射场具有相同的频率、相位、波矢(传播方向)和偏振，因而，受激辐射场与入射辐射场属于同一模式。大量原子在同一辐射场激发下产生的受激辐射处于同一光波模或同一光子态，因而是相干的。;吸收: 向上跃迁的数率可以写成 r12=B12f1(1-f2)p(E21) (7.1) 1. 跃迁几率B12 2. E1 被电子占据的几率f1 3. E2态空着的几率(1-f2) 4. 能量为E21的光子密度p(E21)。;r21=B21f2(1-f1)p(E21) (7.3);自发发射： E2 的电子可以自发返回E1而不与辐射场p(E21)发生作用。;热平衡时，向上跃迁的速率必须等于向下跃迁的总速率。;;r21=B21f2(1-f1)p(E21)r12=B12f1(1-f2)p(E21) (7.11) f2(1-f1) f1(1-f2) f2f1 (7.12); 导带;产生粒子数反转的方法;发光的半导体必处于非平衡态。 过剩载流子 偏离平衡态程度： 稍稍偏离：自发 严重偏离：粒子数反转，受激辐射;;总的吸收系数：导带和价带中所有的能量差为hv的能级之间的跃迁进行积分。;（1）若注入少数载流子，则在带隙能量附近的光波长范围产生放大增益。 （2）在常温下，只有一部分载流子参与增益，在低温有更多的部分参与所以增益增大。 （3）随着载流子密度的增大，给出最大增益的波长向高能端移动（带填充效应）;7.4 谐振腔和阀值条件;光在介质中传播的物理图像;超辐射发光管简介 超辐射发光二极管（SLD）近年来迅速发展，它是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件。其发光机理是一种强激发状态下定向的辐射现象。即当激发密度足够高时，自发发射的光子受激放大而雪崩式倍增，发光强度随激发强度超线性地急剧增加，谱线宽度变窄，由初始的自发发射占主导地位很快地演变为以受激发射占主导地位。理想的超辐射光是一种相位不一致的非相干光源或称短相干光源。 超辐射??和激光的光增益过程都是受激放大过程，两者的根本区别在于器件是否存在振荡及选模作用; 激光器应包括光放大器和光谐振腔两部分，光腔的作用如下： ;7.4.1 谐振腔;Ohmic contacts;;;;7.4.3半导体激光器的纵模