从接近49V突变为接近0V.PPT

夫兰克-赫兹实验曲线的理论分析 0519020 蒋文超 传统的解释：当电子能量大于汞的第一激发能时，会激发汞而失去能量，从而无法通过反向偏压，造成管流的下降。 我的解释 电子能量完全由扫描电压V提供 不考虑低能电子和弹性碰撞对于管流的影响。 由于V随空间均匀变化，可以把夫兰克-赫兹管分为几层，每一层的电压为Ve =4.9V，最后一层为VR 。当V很大时，从第n个Ve层到VR层交界面上出射的电子在能量分布上是不变的，所以在计算管流时主要考虑这一部分电子。 T=170℃下，λ=0.44mm，Ve=4.9V，VGP=1.5V，H=5mm 从这个解释中得到的其他结果 总结 致谢 感谢罗胤同学提供了实验结果 Thank You! * 测量汞第一激发能态的管电流图 问题：为什么在某些电压附近会有管流振荡，而 这些电压互相差值在 4.9V左右？ 不妥！为什么？ 因为只要电子能量大于第一激发能时，电子就有可能激发汞而失去能量，那么在管电流峰值和谷值处都存在电子激发现象的发生，同样是激发，为什么会有电流的突变？ 建立模型，提出假设。 通过数学计算得到的管电流方程 扫描电压从0~100V扫描所得的计算机模拟的管电流曲线： 突变的的位置在V=n4.9V处，令人振奋！ 在V=n4.9V附近，发生了什么？ 当在Vn4.9V，且十分接近n4.9V时， VR~4.9V 当V慢慢变大，最终超过n4.9V时，管电压的分层变成了这样： 当在Vn4.9V，且十分接近n4.9V时， VR~0V 当V在n4.9V附近变化时，VR从接近4.9V突变为接近0V，并且参考层从第n-1层突变到了第n层，那么，回到方程，发现方程的形式也突变了，那么，管电流的突变是很显然的。 峰值和谷值电流的包络线，按照前面的结果，如果在方程中，VR取接近4.9V，得到峰的包络，VR取0，得到谷的包络。 计算机计算出的峰和谷的包络线 VR分别取4.7V和0.2V 在V→∞时，两条包络线的值都趋近于1。 实验中得出的峰和谷的包络线 峰谷间距的大小随V的变化 计算机模拟所得的峰谷间距差 实验所得的峰谷间距差 都呈现了先变大后变小的趋势 引起电流突变的直接原因并不是一直所说的是由于汞原子被激发，而是因为在V逐渐变大时，会引起管电压分布的突变，造成了管电流的突变。 模型的不足 假设建立在V很大的基础上，因此在扫描电压比较小的时候，符合的很差 忽略了电子热动能 为了方便计算，没有考虑弹性碰撞的影响，也没有考虑低能电子。而实际上，弹性碰撞改变了电子运动方向，使得部分电子无法通过反向偏压。 *