氮化镓基HEMT器件高场退化效应与热学问题研究（可编辑）.doc

氮化镓基HEMT器件高场退化效应与热学问题研究 分类号 TN4 密 级 公开 题 （中、英文）目 氮化镓基 HEMT 器件高场退化效应与热学问题研究 Study on High-Electric-Field Degradation Effects and Thermal Issues of GaN-based HEMT Devices 作 者 姓 名 杨丽媛 指导教师姓名、职务 郝 跃 教授 学 科 门 类 工学 学科、专业 微电子学与固体电子学 提交论文日期 二○一三年四月 作者简介 杨丽媛，内蒙古呼和浩特人，生于 1986 年。2007 年毕业 片 照 片 社 片 照 图 者 华 新 作 于西安电子科技大学、获学士学位。2007 年 9 月就读西安电子 科技大学攻读硕士。2010 年 3 月提前攻博，2013 年 6 月于西安 电子科技大学获工学博士学位。导师：郝跃教授。 主要研究方向：氮化镓基 HEMT 器件高场退化与温度可靠 性研究。代表性成果及经历：已在《CHINESE PHYSICS B》、 《Journal of Semiconductors》等权威、核心刊物和学术会议发 表学术论文 8 篇，其中第一作者 5 篇。参与国家重大科技专项等四项项目的研究。 Liyuan Yang, was born in Hohhot ，Inner Mongolia，China, in 1986. In 2007, she received her B.A. of microelectronics in Xi’Dian University at Xi’an, China. Study for master’s degree from September 2007 and Ph.D. degree from March 2010 in Xi’Dian University under the guidance of Professor Hao Yue. She received her Ph.D. degree in microelectronics from Xi’Dian University, Xi’an, China, in 2013. Her research interests include high electric-field and high temperature reliability of GaN-based HEMT devices. She has published 8 papers in journals and conferencese such as and . She has participated in four Major State Basic Research Projects. 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导