电脑内存性能指标.ppt

奇偶校验 奇偶校验就是内存每一个字节外又额外增加了一位作为错误检测之用。当CPU返回读顾储存的数据时，他会再次相加前8位中存储的数据，计算结果是否与校验相一致。当CPU发现二者不同时就会自动处理。 注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。 内存带宽 从内存的功能上来看，我们可以将内存看作是内存控制器（一般位于北桥芯片中）与CPU之间的桥梁或仓库。显然，内存的存储容量决定“仓库”的大小，而内存的带决定“桥梁的宽窄”，两者缺一不可。 提示：内存带宽的确定方式为：B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位数，则带宽B=F*D/8 如常见100MHz的SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/秒 常见133MHz的SDRAM内存的带宽133MHz*64bit/8=1064MB/秒 CL CL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。对于PC1600和PC2100的内存来说，其规定的CL应该为2，即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。也就是说他必须在CL=2R 情况下稳寰工作的其工作频率中。 存储容量 目前常见的内存存储容量单条为128MB、256MB、512MB，当然也有单条1GB的，内存，不过其价格较高，普通用户少有使用。就目前的行情来看，配机时尽时使用单条256MB以上的内存，不要选用两根128MB的方案。 提示：内存存储容量的换算公式为，1GB=1024MB=1024*1024KB 存储速度 内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就越快。目前，DDR内存的存取时间一般为6ns，而更快的存储器多用在显卡的显存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。 注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。 * 4.3 内存的性能指标 4.3.1 容量 4.3.2 工作电压 4.3.3 tCK时钟周期 4.3.4 CAS延迟 4.3.5 SPD芯片 4.3.6 内存线数 4.3.7 ECC校验 4.3.8 数据位宽度和带宽 4.3.1 容量 内存的容量是用户最先考虑的因素之一，因为它代表了内存存储数据的多少，通常以MB和GB为单位。 一般来讲，内存的容量越大越好，市面上主流内存的容量为512MB、1GB和2GB等。 4.3.2 工作电压 不同类型的内存正常工作所需要的电压值也不同，但各自有自己的规格。如果工作电压超出其规格，则容易造成内存损坏。 SDRAM内存一般工作电压都在3.3V左右，上下浮动额度不超过0.3V；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5V左右，上下浮动额度不超过0.2V； DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、型号的内存，则要看厂家的设计了，但都会遵循SDRAM内存3.3V、DDR SDRAM内存2.5V、DDR2 SDRAM内存1.8V的基本要求，在允许的范围内浮动。 略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时其发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。 4.3.3 TCK时钟周期 TCK代表内存所能运行的最大频率，其值越小说明内存芯片所能运行的频率越高。 对于普通PC-100的SDRAM内存条来说，其芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为l0ns，即可在100MHz的外频下正常工作。 大多数内存标号的尾数表示tCK周期，如PC-133标准要求tCK的数值不大于7.5ns。 4.3.4 CAS延迟 CL（CAS Latency）为CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）的延迟时间，它是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能在CL＝2或CL＝3的模式下运行，也就是说，它们读取数据的延迟时间可以是两个时钟周期或3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM（即SPB）中，在开机时主板的BIOS就