模拟电子技术基础第一章常用半导体器件.ppt

电子系统抽象模型 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子获得能量，部分电子挣脱原子核的束缚，成为自由电子，与此同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴(hole)。 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 思考题： 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性与参数 1.2.3 二极管的等效电路 1.2.4 其它半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3 双极型晶体管 1.3.3 BJT的特性曲线 一、共发射极输入特性： 共发射极输入特性曲线 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 二、共发射极输出特性： 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 输出特性三个区域的特点 (1) 放大区： 发射结正偏，集电结反偏。 (2) 截止区： 开启电压 (3) 饱和区： 发射结正偏，集电结正偏。 深度饱和 临界饱和 三极管工作状态总结 bIB 正偏 正偏 饱和 bIB 反偏 正偏 放大 0 反偏 反偏或零偏 截止 IC 集电结 发射结 状态 三极管处于放大状态的特点 电流关系 电位关系 放大状态时:基极电位在中间 与基极相差0.2/0.7为发射极 差0.2V为锗管,相差0.7为硅管 VEVB 为 NPN 1.1.4 PN结的特性 2 PN结的伏安特性(I/V characteristics) 根据理论分析（半导体物理），pn结电流方程： 其中， ：结两端的电压降 ：流过pn结的电流 ：反向饱和电流(reverse-bias saturation current) 与温度、材料、结面积、结构有关 : 温度的电压当量(thermal voltage) 室温下（T=300 K）， 正偏时: 反偏时: I/V特性曲线 PN结的击穿 当反向电压 增加到一定值时，由于空间电荷区的电场很强，会发生反向击穿—Breakdown 雪崩击穿-碰撞击穿 Avalanche breakdown 被加速的载流子撞击晶格，激发出新的电子-空穴对，又被加速，形成连锁反应，使电流剧增(Si材料 UBR7V)。 齐纳击穿-电场击穿 Zener effect 发生隧道效应，使电流剧增(Si材料，UBR4V) 击穿又可分为： 电击穿——可恢复（可逆） 热击穿——烧坏PN结（不可逆） 1.1.4 PN结的特性 3 PN结的电容效应 ①势垒电容 反偏时，当u变化时，耗尽层宽度随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。 - + ②扩散电容 正偏时，PN结耗尽层两侧存在非平衡少子的堆积现象，堆积的数量随正偏的增加而增加，这也相当于电容的充放电。 1.1.4 PN结的特性 3 PN结的电容效应 图1–12 P区少子浓度分布曲线 对器件的高频特性有很大的影响 结电容 反偏 正偏 1.1.4 PN结的特性 4 PN结的温度特性 pn结电流方程 和 都是温度的函数，故PN的I/V特性