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MCR与TCR型SVC性能比较与应用分析 　　[摘　要] 文章分析了MCR与TCR型两种SVC的基本原理,设备构成及其特点,并从响应速度、损耗、谐波发生量、占地面积等方面进行了比较;基于MCR与TCR型的SVC不仅可进行动态无功补偿,还有利于提高电能质量和节能降耗,在各领域具有广泛的应用前景,文章针对不同行业、不同负荷的无功功率变化特点,提出了SVC配置的建议。 　　[关键词] 磁控电抗器MCR　晶闸管控制电抗器TCR 动态无功补偿装置SVC 　　 　　0　引言 　　 　　无功补偿及谐波治理技术在改善电网电能质量、提高电能输送能力方面发挥着重要作用。负荷的复杂性和多变性导致传统的固定电容器补偿及谐波抑制装置难以满足实时要求。以电力电子器件无触点开关为核心的静止型动态无功补偿装置(简称SVC),在抑制电压波动与闪变、平衡三相电流、提高和稳定功率因数、谐波电流吸收等方面起到了越来越显著的作用,可控硅控制电抗器(简称TCR)型和磁控电抗器(简称MCR)型SVC装置是目前典型的应用最广泛的两种SVC装置,有必要作分析比较。 　　 　　1　MCR型SVC的原理 　　 　　MCR就是一种通过改变电抗器铁心的磁通密度来实现自身电抗值调节的电抗器。其基本原理可以追溯到磁放大器和普通的饱和电抗器,但其结构模式有很大的区别。MCR型SVC由电容器提供最大无功补偿功率,而由磁阀控制相控电抗器,实时吸收固定电容器组提供的无功补偿功率与系统需要的无功功率的差额,做到实时调节无功的目的。 　　MCR的原理示意图如图1所示,从图1中可以看出,MCR由一个四柱铁心和绕组组成,中间两个铁心柱为工作铁心,NK为控制绕组,N为工作绕组。由于可控硅接于控制绕组上,其电压很低,约为系统额定电压的1%左右,从而大大提高了运行可靠性。当工作绕组两端接上交流电压时,在控制绕组上就会感应出相应的电压。以Nk的匝数为N的1%计,可控硅上的电压仅为工作电压的1%,通过控制导通角即可控制直流激磁,导通角越小,铁心饱和度越高,电抗器的感抗就越小。因此,只要控制导通角大小,就可以平滑地调节MCR的容量。从图1中可以看出MCR具有自耦励磁功能,省去了单独的直流控制源;MCR的另一特点是小截面铁心处于极限饱和状态,而其他铁心则处于不饱和状态,降低了有功损耗,降低了谐波含量,噪声也比较小。 　　MCR型SVC的关键技术在于磁控电抗器采用小截面铁心和极限磁饱和技术,在交流磁路的工作铁心上分布着多个小截面段,在电抗器的整个容量调节范围内,仅有小截面铁心磁路工作在饱和区,而大截面段始终工作在未饱和线性区。该技术的特点为交、直流正交磁化、局部饱和技术。两个铁心柱及上下轭为交流主磁路,不受直流磁通的影响;而铁心中柱的直流控制线圈与边柱的交流线圈成正交布置,直流线圈亦不受交流磁通的影响。交直流磁通在中柱磁路的局部交汇形成局部饱和区,调节直流电流的大小改变磁阻即可调节交流线圈的输出电流。 　　 　　2　MCR型SVC系统的构成 　　 　　基于MCR的SVC装置由MCR主体及其励磁系统、FC滤波器、控制保护与监控系统等组成。 　　MCR磁控电抗器用于平衡系统中由于负载的波动所产生的感性无功功率,并稳定负载冲击所产生的电压波动。FC滤波器用于提供系统所需要的容性无功功率、滤除负载及MCR系统本身所产生的少量谐波。 　　MCR的励磁系统工作电压极低,只有几百伏,功率很小,仅为MCR功率的0.3%左右,励磁系统中的电力电子器件的触发系统采用光电触发方式,主回路与控制回路隔离性能好,具有较强的抗干扰能力,励磁系统自身具有完备的保护系统,以保证其运行的可靠与安全。控制系统采用全数字控制系统,响应时间快,可靠性高,监控系统可对装置中相关模拟量与开关量进行集中监控,用户可在监控系统卜实现对所有相关信息的监测,并可通过监控系统实现对SVC装置的远程操作,监控系统提供通讯接口,接入现有自动化控制系统。 　　保护系统负责对整个系统的无功功率控制提供指令并对整个系统提供相应的保护。保护系统在硬件上完全独立于控制系统,其与控制系统的连接通过I/O口及串行通信形式来实现,具有高度的可靠性与独立性,包括以下几个方面: 　　(1)磁阀式可控电抗器保护系统:过电流、过负荷、过电压、轻瓦斯、重瓦斯、温度、压力、励磁单元故障。 　　(2)滤波电容器组:过电流、电流速断、过电压、欠电压、熔丝保护、操作过电压保护、中性点不平衡电流保护、中性点避雷器过电压保护。 　　(3)控制系统:控制器故障、通信故障、电源故障、频率保护等。 　　 　　3　TCR型SVC性能分析 　　 　　TCR一般与固定电容器组(或FC)配合使用,固定电容器组提供最大无功补偿功率,而由晶闸管控制相控电抗器实时吸收固定电容器组