光耦合器规格的解释.docVIP

  • 11
  • 0
  • 约3.49千字
  • 约 5页
  • 2018-12-19 发布于贵州
  • 举报
光耦合器规格的解释

光耦合器规格的解释 光耦合器规格的解释2010-04-19 12:47通常在半导体产品的规格中会指定环境温度(TA:产品周围的空气温度)或封装表面温度(TC)为25度。br实际上,使用环境非常重要,但是在特定条件下或在摄氏25度宽容范围下,使用者为他设计的产品针对使用环境必须遵照特性曲线等来完成计算.光电晶体管的光接收耦合器多数型号的规格在下面描述. 电特性 最大额定值 绝缘电压:BV(Vr.m.s.) 允许最大交流电压是能施加在输入管脚和输出管脚之间超过均方根(r.m.s.)值的电压。该数值为特定隔离电阻阻值。通常,该值被设定为无限制周期,但是也用于限制测定时间,如1分钟。 运行环境温度:TA(°C) 在电源应用时的允许温度范围。通常当实际环境温度上升时,功率损耗(PD,PC)会下降。此外,当实际环境温度超出在该范围内时,功率应用被禁止。光耦合器使用场合中,所在产品上施加功率产生的温度不是以封装表面温度来描述,而是以环境温度(在产品周围的空气温度)来替代. 存储温度:Tstg(°C) 允许温度范围是当电源没有施加的温度范围(储存状态)。 发光二极管:正向电流:IF(mA) 当环境温度是摄氏25度时,在光发射端的LED(光发射二极管)允许的功耗(PD)范围之内,允许最大电流不会发生损毁的。 发光二极管:反向电压:VR(V) 注意,在光发射端LED(发光二极管)的反向限制电压是低的

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档