一种基于省时考虑深亚微米VLSI物理验证方法.docVIP

一种基于省时考虑的深亚微米VLSI的物理验证方法 　　摘要：现代VLSI开发的后端设计人员面临巨大的产品上市时间压力，尤其是对物理验证的过程而言时间更是紧张。本文结合工程经验阐述了物理验证的步骤和原理，结合Synopsys公司的物理验证工具Hercules的特点，提出了一种比较省时的物理验证流程，已用于实际数字调制芯片设计并流片。 　　关键词：集成电路；物理验证；hercules；流程 　　 　　前言 　　 　　超大规模集成电路设计进入到深亚微米工艺后，以时序驱动为主的开发方法使用更加普遍，面临的新挑战也随之而来：为了可制造性而要面临越来越多的金属层密度问题和天线效应问题，同时面积减小了，但由于连线延时效应影响，给布局布线带来了困难，以至于不得不根据布线后时序的结果回过头重新调整时序约束以保证后面布线后满足时序要求。这使得整个后端的时间进度压力加大，尤其对物理验证而言，作为后端设计人员将设计交给代工厂家前的最后一道程序，时间被压缩的很紧。因此有必要提出一套成熟的物理验证方法，来加快物理验证的速度，为加快芯片研发速度，尽快进入市场赢得时间。 　　 　　1 物理验证及工具简述 　　 　　传统的物理验证主要包括设计规则检查（DRC）,天线效应检查（ANT）,版图一致性验证（LVS）和电气规则检查（ERC）四部分，本课题使用的工具是Synopsys公司的版图工具Astro和物理验证工具Hercules。Hercules拥有进行超深亚微米（UDSM）工艺验证的能力，可进行亿门级的微处理器和千万门级的ASIC的物理验证[1]。通过更加高效的验证来缩短设计周期，并提供图形界面来帮助设计人员快速发现和改正违例错误。它可以和Synopsys公司的milkyway数据进行无缝连接，设计人员使用milkyway数据进行布局布线和版图优化。Milkyway是Astro工具的版图格式，它的设计单元称为cell，含有多种视图（View），其中与物理验证关系密切的是CEL View和FILL View，CEL View含有实现逻辑功能的版图信息，FILL View含有进行可制造性设计（Design for Manufacturing，DFM）时插入的填充金属（metal filler）信息。本处的DFM是指对布线结束后的设计为了满足工艺制造性要求，根据天线效应规则、密度设计规则等进行的插入二极管，添加填充金属，放入fill单元等操作的总称。其中添加metal filler是为了满足覆盖密度要求而添加冗余的多晶硅或金属，结果是生成了对应cell的FILL View。FILL View在修复DRC错误及ANT错误后要及时进行调整，不然又会引入新的DRC问题。Astro进行物理验证时支持Hercules explorer和vue两种图形化界面工具，本课题使用的是vue界面，来对hercules发现的问题进行定位和修复。在脚本设置文件（runset）文件中设定OPTIONS {CREATE_VUE_OUTPUT=TRUE}生成.vue文件，在Astro中启动Hercules然后借助.vue文件就可以借助错误定位进行修改了。 　　在Hercules工具进行物理验证之前，可以使用Astro工具进行后端验证，先行检查Milkyway文件中存在的DRC和LVS错误并更正。Astro支持深亚微米工艺下在工艺文件中进行了定义的设计规则检查，使用命令geAdvDRC或者geNewDRC可以调用这一功能，工具会生成错误单元位置信息，在上面会标出可能出现问题的区域，便于更正。使用命令geNewLVS可以进行简单的LVS检查---连接性检查，可以发现版图中的断路或开路问题，同样也会生成一个错误单元位置信息方便改正。 　　 　　2 物理验证组成 　　 　　DRC，即设计规则验证，它要求设计的版图文件要满足多边形最小面积，同层以及不同层间多边形内部最小间距，外部最小间距，以及为了确保可制造性而进行的密度检查等[2]。在物理验证阶段，为了消除DRC错误而进行手工改动时常常会引入新的错误。尤其是经过DFM后的设计，填充金属的引入会增加最小间距或最小面积等类型的错误，这些因金属填充产生的错误可在最后集中在FILL View中改完。 　　ANT是天线效应检查，这也是和电路制造过程有关的问题，为了防止太多的电子在铺金属层的过程中集中到导线上击穿栅极，必须保证同层的导线长度不能太长。解决天线效应问题有两种方法，一是在产生天线效应的走线上添加反向二极管，这样可以保护栅极；二是采用向更高层的金属进行跳线连接，这样在加工过程中就可以避免过多电子的积聚[3]。在可制造性工艺之前，由于版图中没有加入填充用的金属，可以用第一种方法来加入二极管以消除天线效应，但在DFM之后的物理