减少制程的压力-1pdfnet.PPT

內連線延遲和縮小技術 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 .5 1.0 1.5 2.0 大小尺寸(?m) 延遲時間 (?10?9秒) 內連線延遲(RC) 閘極延遲 金屬沉積前的介電質(PMD)-1 低介電係數?寄生電容小?RC延遲小?信號傳送速度快。 阻擋鹼金簇元素能力強?不怕鈉、鉀離子污染的可靠性問 題。 無空洞間隙。 可以表面平坦化?後面的微影黃光才沒有景深(解析度)的 問題。 一般都是用掺雜磷的矽玻璃(PSG)，或掺雜磷硼的矽玻璃 (BPSG) 。 在做掺雜磷的矽玻璃或掺雜磷硼的矽玻璃之前，要先沉積 一層阻擋層(用USG約1000?或氮化物200?) 。 使用掺雜磷或磷硼的矽玻璃的原因是因為可以用磷酸捕抓 鈉、鉀離子與降低矽玻璃的回流溫度。 金屬沉積前的介電質(PMD)-2 BPSG的APCVD方程式為： BPSG的PECVD方程式為： PSG的磷濃度越濃，矽玻璃回流的溫度就可以越低。 在1100℃、N2的環境下，回火20分鐘，可以看到含磷成 份越高，回流的效果越好(q角越小)。 0% 4.6% 2.2% 7.2% 金屬沉積前的介電質(PMD)-3 PSG的磷濃度與q角的關係為 。 當q小於45o，磷要大於6wt%，但磷若高於8wt%以上，磷 會吸收空氣中的濕氣，成為磷酸，腐蝕積體電路上的金屬 ，所以磷的濃度範圍大約6~8wt%。 BPSG 的 A×B 的意思是指磷與硼的重量百分比濃度為 Awt%：Bwt% BPSG 的硼濃度如果太濃，可能會吸收空氣中的濕氣，成 為硼酸，並在磷硼玻璃表面形成 H3BO3 的粒子污染，造 成元件缺陷。此外，BPSG的磷硼濃度上限為5×5。 金屬沉積前的介電質(PMD)-4 CMP PSG 0.18mm 750℃ 回流＋CMP BPSG 0.25mm 850~900℃ 回流 BPSG 2~0.35mm 1100℃ 回流 PSG ＞2mm 回流溫度 平坦化 PMD 尺寸 回流前 4×4 BPSG回流後 PMD製程技術發展 BPSG在850℃的回流效果， 右圖就是在氮氣環境下，以 磷硼重量百分比4×4完成。 金屬沉積前的介電質(PMD)-5 金屬沉積前的介電質(PMD)-6 當元件縮的更小時，因為 LPCVD 的高溫製程(＞700℃)將 可能造成溫度對下面元件掺雜雜質過度擴散，使元件無法 正常操作的問題。 PECVD的低溫製程將取代LPCVD的PMD製程。 PECVD操作在高溫的PMD製程優點： Ⅰ、 PECVD的沉積速度較 LPCVD快。 Ⅱ、好的薄膜品質。 Ⅲ、好的階梯覆蓋。 Ⅳ、生成的SiNxHy有低的氫濃度。 PECVD在PMD製程可能產生的問題是PECVD的電漿可能 會傷害到閘極氧化層。 金屬層間介電質(IMD) 大多數的IMD都是使用USG。 IMD的要求： Ⅰ、低溫(不超過450℃，否則金屬線會熔化) 。 Ⅱ、低介電係數?寄生電容小?RC延遲小?信號傳送速度快。 Ⅲ、無空洞間隙。 Ⅳ、可以表面平坦化?後面的微影黃光才沒有景深(解析度)的 問題。 技術使用上，有： Ⅰ、TEOS (減少間隙與空洞的問題)。 Ⅱ、沉積 / 蝕刻 / 沉積(減少間隙問題) 。 Ⅲ、CMP(平坦化)。 Ⅳ、自旋塗佈氧化矽(SOG)。 Ⅴ、HDP CVD(缺點：速度慢)。 Ⅵ、可用高沉積率的 PECVD來覆蓋HDP CVD填充後的薄膜。 鈍化保護介電質(PD)-1 積體電路最上面一層保護介電質稱為鈍化保護介電質。 PD的要求： Ⅰ、提供抵抗封裝可能造成的機械強度的壓力。 Ⅱ、抵抗濕氣對積體電路的破壞。 Ⅲ、阻擋鹼金簇元素對積體電路的傷害。 Ⅳ、低溫(不超過400℃，否則下面的金屬線會熔化) 。 所以一般都利用PECVD(可以低溫完成)沉積Si3N4。 如果封裝材料為陶瓷材料(氧化鋁)，PD就可以只使用二氧化 矽。 註：應力的問題會讓Si3N4無法附著在鋁線上面，因此要先長 一層氧化物，除減緩Si3N4 的應力之外，並提高Si3N4 的 附著力。 鈍化保護介電質(PD)-2 PECVD沉積氮化矽的反應式為： PECVD產生的氮化矽包含氫的成份大約20%原子比。 EPROM的浮動閘必需要