掺N改性后氧化锌银培训讲解.ppt

掺杂改性后ZnO/Ag纳米复合材料的结构精修及第一性原理计算;2. 研究思路;图3-1 掺杂后的ZnO/Ag纳米复合粉体在400℃时的实验谱与计算谱对比;表3-1 Rietveld 精修可靠性因子;Num.;表3-3 Ag的晶体学参数和 Rietveld 精修结果;图3-2 ZnO的能带图;a;e;编号;图3-4 ZnO的态密度图;图3-6 450℃渗氮温度得到复合粉体的ZnO的态密度图及分态密度图;3.4掺N改性后ZnO/Ag光学性能图;d;e;编号;4. 结论 ;（3）N掺杂改性后的ZnO/Ag纳米复合材料带隙值比未掺杂的增大约0.2eV，表明掺杂明显降低了其导电性，其中450℃下渗N所得到N掺杂的ZnO/Ag纳米复合材料导电性最佳，渗N温度为350℃时，导电性能最差。 （4）N掺杂改性后的ZnO/Ag复合纳米材料的最高反射率较未掺杂的ZnO/Ag纳米复合材料基本相同，Zn-3d电子对反射率的贡献最大，且对应最大反射率的光均为紫外光。 （5）由晶格畸变程度及带隙值变化可知，渗氮温度越高， ZnO/Ag纳米复合材料的晶格畸变越严重，光电性质越好。;谢谢各位老师指导