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智能手机快速充电的前世今生 　　2015年，高通在MWC上展示了处理器骁龙820，全新的14nm的制程工艺，支持LTE Cat.10 标准与三载波聚合，下载峰值速度高达 450Mbps，支持双通道 LPDDR4-1866 内存，GPU 则为全新的 Adreno 530，据称相比过去性能提高 40%，而功耗则降低 30%。然而，这些参数并不是这篇文章关注的重点，更新到3.0 版本的“快速充电”技术则是今天的主题，通过高通Quick Charge来谈谈智能手机的快速充电。 早期智能手机的充电器输出电压与电流都较低，这是充电能效低下的主要原因 　　前快充时代 　　早在Nexus 4身上我们就看到高通给出的快充（Quick Charge）方案，对于这款早期的快充方案，其实大家都非常熟悉，并且运用得非常广泛。当时，在手机充电时因受到电池的输出电压限制，充电器输入的电压在 4V 上下，手机能够承受的输入电流也是一定，所以必定有一部分的功率是要损耗在充电器上的，所以充电时，充电器与手机烫手也属于正常现象。而高通快充的出现，就是为了解决手机与充电器发热的问题。它能将手机电池可以承受的输入电流调高，使得损耗大幅度降低，并且它还能使手机充电电源输入电流的范围有小范围提升，从100mA到2000mA。 　　总的来说，高通快充最大的用处就是提高了手机对于高电流的承受能力，使得它能够接受充电器高电流的输入，缩短充电时间;识别不同的电源输入类型。 　　快充的时代 升级至高通快充2.0后，手机充电速率有巨大提升 　　随着手机硬件的快速发展以及元器件功耗的提升，各大手机厂商都纷纷采用了大电池的策略。大电池带来的续航能力与充电时长成正比，而不少厂商都开始研发属于自己的快速充电技术，而高通快充也从早期的版本来到了2.0。 　　我们都知道手机的充电设备是由USB数据线与电源适配器组成，由于结构与数据线品质的问题，使得我们在充电时不能保证100%的高输出电流。而且高强度的电流输出对于线材的损耗较大，所以高通快充2.0 并没有选择直接增加充电器输出电流的方式，来加快充电速度，反而是在外部设备上，保证输出电流不变，通过增加充电器的输出电压，来增加充电器的输出功率。简单地说，高通快充2.0就是由设备通过USB数据通信口D+/D- ，输出电压信号给充电器，充电器内置USB输入解码芯片，判断充电器需要输出电压大小，所以对于充电的USB线也没有特别的要求。 支持多电压充电是高通快充2.0最大特色 　　这种提升电压降低电流的充电方式大幅度加快了手机充电的速度，并且给予了其他厂家实现快速充电的可能，用户可以购买到同时兼容5V、9V、12V三种电压规格的快速充电器，如：Motorola Turbo ChargerPower up fast、HTC Rapid Charger 2.0、三星EP-TA20CBC、Ktec冠德 VP001以及小米MDY-03-EB等。随着高通快充2.0充电标准化的普及以及技术的开放，所以我们在一些非高通芯片的手机上也可以看到一些基于高通QC2.0的衍生快充技术，比如华为的快充技术和华硕的BoostMaster。 　　说到快充方案，一定避不开国产手机厂商OPPO，其2015年推出搭载VOOC 2.0的R7/Plus打出了“充电五分钟，通话两小时”的广告语，如此自信的表达方式是建立在VOOC闪充技术之上的。 由于不少厂商没有提供支持高通快充的充电器，用户可通过其他渠道购买 　　VOOC闪充是通过在5V充电电压不变的情况下，增加充电电流到5A，直接提高输入电流的方式，提高充电效率，并使用并联电路的方式进行分流，所以OPPO VOOC技术需要使用专用的充电线。OPPO VOOC充电线接口有8个触点，能实现多路5V充电，从而提升手机的充电速度。OPPO采用专用的充电线与电源适配器将快速充电的模组外置，从而降低了手机在快速充电时候的发热。 　　一旦涉及快速充电，手机厂商的设计思路大致都是基于上述两种解决方案。现阶段除了高通快充2.0与OPPO VOOC2.0之外，当然少不了另一大芯片厂商联发科，他们给出的快充方案是 Pump Express Plus，与两家厂商不同的是，它采用的快充技术原理较为复杂，此项技术需要配合联发科生产的电源管理芯片来实现，现阶段已发售的联发科MT6795已经能支持Pump Express Plus快充技术，不过在理论上在联发科所有处理器平台上使用专用的电源管理芯片都能实现快速充电功能。Pump Express Plus技术允许充电器根据电流决定充电所需的初始电压，由电源管理芯片发出脉冲电流指令通过USB的Vbus传送给充电器，充电器依照这个指令调变输出电压，电压逐渐增加至高达12V达到最大充电电压，因此使用一般的US