第四章存储器和单片机的连接.pptVIP

* * 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 一、半导体存储器的分类和作用 半导体存储器通常按照功能来分类，可以分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、随机存取存储器RAM（Random Access Memory）和不挥发性读写存储器（E2PROM、NOVRAM）。此外，还有一些特殊存储器，比如：加密型ROM，先进先出RAM，双端口RAM，快擦写型存储器等。 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 1．RAM存储器 （1）双极型RAM （2）MOS型RAM 1）静态RAM（SRAM） 2）动态RAM（DRAM） 2． ROM存储器 ROM存储器按工艺常可分为掩模ROM、PROM和EPROM等三类。 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 3．不挥发性读写存储器 E2PROM是电可擦除、可编程的只读存储器，在工业测控系统中，它主要用来存放允许以较慢速度写入的重要数据。 NOVRAM的全称是不挥发随机访问存储器。典型产品形式为背装锂电池保护的SRAM，它实际上是厚膜集成块，将微型电池、电源检测、切换开关和SRAM做成一体，厚度较普遍存储器大一些。 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 二、半导体存储器的技术指标 1.存储容量：字数×字长 如：256×4、128×8（128B） 1KB＝1024B、1MB＝1024KB 1GB＝1024MB、1TB＝1024GB 2.最大存取时间：几十～几百毫微秒 3.存储器功耗 4.可靠性与寿命 5.集成度：如64K位/片 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 三、半导体存储器的基本结构 1.单译码编址存储器 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 三、半导体存储器的基本结构 2.双译码编址存储器 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 三、半导体存储器的基本结构 2.双译码编址存储器 16×8 译码器 A0 A1 A2 A3 A3 A2 A0 A1 译码器 译码器 X地址线 Y地址线 1．常用的EPROM芯片（27系列） 常用的EPROM芯片的引脚如图，A0—A15为地址线，D0—D7为数据输出线， CE为片选线，OE为输出允许，PGM为编程脉冲端，NC为未联接端，VPP为编程电压端，VCC为+5V，GND为地线 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 四、常用的存储器芯片 第四章 存储器与单片机的连接 4.1半导体存储器基础 四、常用的存储器芯片 2．常用的RAM芯片（62系列） 4.2 MCS-51和外部存储器的连接 第四章 存储器与单片机的连接 根据需要，可只扩展ROM或RAM，也可同时扩展ROM和RAM。 当CPU内部存储器不够用时，需要外接存储器，也叫存储器的扩展。 存储器的扩展通过CPU的三总线实现：即地址总线、数据总线和控制总线。 P0 MCS-51 ALE P2 PSEN 锁存器 高八位地址 低八位地址 指令 EPROM /EEPROM 地址 OE 　MCS-51单片机程序存储器的扩展 MCS-51单片机访问外部程序存储器所使用的控制信号有： ALE：低8位地址锁存控制信号 PSEN：外部程序存储器“读取”控制信号 4.2 MCS-51和外部存储器的连接 第四章 存储器与单片机的连接 第四章 存储器与单片机的连接 1. 芯片的选择问题 2. 速度匹配问题 3. 容量问题 4. 地址分配问题 5. 地址译码问题 一、连接中应考虑的问题 4.2 MCS-51和外部存储器的连接 第四章 存储器与单片机的连接 1. 全译码：所有片选地址线均参加译码 2. 部分译码：只有部分片选地址线参加译码 3. 线选法：片选地址线直接与存储器芯片的片选引脚相连 地址译码方法 片内地址线与片选地址线 片选地址线往往需要经过译码再与存储器相连。 根据片选地址线与存储器的连接方法可将存储器的 地址译码方法分为： 4.2 MCS-51和外部存储器的连接 全译码： 无重叠地址 部分译码：有重叠地址 线选法： 有重叠地址 重要概念：地址重叠 当有些片选地址线不参加译码时，CPU能否找到某个存储单元便与这些地址线的状态无关，即这些地址线可以是任何状态，导致某个存储单元具有一个以上的地址。这种现象称为地址重叠。 第四章