组件EL中的电池缺陷及隐裂分析报告课件.pptxVIP

组件EL中的电池缺陷及 隐裂分析报告 1 电致发光：简称EL，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子解级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。 反杨五大臣，善穆义勇人 2 一、EL测试原理 光电效应：在光的照射下，物体表面发出电子的现象 叫做光电效应。 互逆 太阳电池的电致发光亮度正比于少子扩散长度，正比于电流密度。 通过ＥＬ图像的分析可以有效地发现硅片、扩散、钝化、网印及烧结各个环节可能存在的问题，对改进工艺、提高效率和稳定生产都有重要的作用，因而太阳电池电致发光测试仪被认为是太阳电池生产线的“眼睛”。 EL正偏发亮的区域表示此区域结特性正常，发暗的区域表明一种可能是这个区域的少子寿命很低，载流子无法起到传送电流的作用，另一种可能是这个区域电极和电池片之间的接触电阻很大，还有一种可能是没有形成pn结。 EL反偏发亮的区域的区域表明该区域有漏电，发暗的区域表明该区域没有漏电。 反杨五大臣，善穆义勇人 3 EL测试原理 1 组件EL常见的电池片缺陷 2 非常见电池缺陷 3 隐裂改善措施 反杨五大臣，善穆义勇人 4 目录 反杨五大臣，善穆义勇人 5 常见缺陷-黑芯片 直拉单晶硅棒，热量传输对晶体缺陷的形成和生产很关键。提高温度梯度，晶体生长速率加快，但是过大的热应力易导致位错。此类点缺陷的聚集，就形成了黑芯片。 金属级硅料，本身磷含量及硼含量超标，磷元素的分凝系数为0.35，故极易在中心富集，从而形成复合密集区，通过EL表现为黑芯片。 反杨五大臣，善穆义勇人 6 常见缺陷-黑斑片 目前两种多晶铸锭技术 1 传统Bridgman（常用） 2 浇注技术（京瓷、Deutsche solar） 该技术通常采用的结晶技术为1cm/h（对于大型硅锭，相当于10KG/h）。过快的结晶速度，导致固液界面处出现较大的温度梯度，从而导致位错的富集。 1、黑芯片会造成热击穿。 2、黑芯片会影响功率测试的曲线台阶。 3、黑芯片会影响组件功率。 反杨五大臣，善穆义勇人 7 常见缺陷隐裂 反杨五大臣，善穆义勇人 8 常见缺陷-混档、隐裂 混档 隐裂 反杨五大臣，善穆义勇人 9 常见缺陷-全黑片 1 硅片错用了N型片，采用常规工艺下传后照片为全黑，无PN结，故EL后全黑 2 组件单串焊接过程中短路 反杨五大臣，善穆义勇人 10 常见缺陷-过焊、断栅 1、可能丝网印刷参数没调好或丝网印刷质量不佳。 2、可能是硅片切割不均匀，TTV不达标，在30um尺度可能出现断层现象. 组件生产焊接过程中温度偏高导致细栅线与主栅线开裂 反杨五大臣，善穆义勇人 11 常见缺陷-局部开路片、虚焊 背铝印刷偏移，铝背场和背电极无接触，局部开路。 虚焊 反杨五大臣，善穆义勇人 12 非常见缺陷-网带印 在烧结过程中，网带清洁不够导致网带部温度差异，硅片与炉带接触处铝背场烧结不良，导致该处BFS钝化效果不好，相应部位表面复合较大，因此在EL图片上形成反差。 反杨五大臣，善穆义勇人 13 非常见缺陷-网带印 顶针印 链条印 反杨五大臣，善穆义勇人 14 非常见缺陷-多晶酸洗引起的穿孔 一般针孔存在的地方会有缺陷、晶界或线痕。在清洗时在这些地方溶液反应剧烈故会形成针孔。针孔直径在1um左右，10um深，比腐蚀坑还要深。在这些地方较容易漏电。 反杨五大臣，善穆义勇人 15 非常见缺陷-扩散异常 EL显示中间发黑，四周较亮，在中间存在漏电。 用P/N型检测仪测试其结型：正面四周为P/N型，中间为P型，背面边缘为P型，中间显P/N型。可知电池片应该是中间未扩到或者单面扩散扩散面放反。 正常刻蚀边缘比较平滑光洁，而刻蚀过多后边缘会有明显的锯齿波纹。该现象可能有两种情况，a. 刻蚀过度，但是正表面没有反型(还是N型)，因为刻蚀导致该处薄层电阻过大，电流密度降低，EL亮度降低，产生反差；b. 刻蚀过度，正表面反型(变成P型)，该处没有p-n结，不存在电注入发光效应，在EL亮度为零，呈现黑边。 造成过刻的原因有可能是工艺时间和气体流量的问题 非常见缺陷-刻蚀过刻 16 非常见缺陷-边缘漏电 Side-17 正偏 反偏 现象 正偏时，可见刻蚀黑边较窄，或刻蚀黑边较宽 反偏时，硅片边缘有线状亮点 电池片实物可见刻蚀边过窄或过宽 发生原因 刻蚀过刻或欠刻 漏浆所造成的品质影响分析及处理 1、AL浆污染 成因：2号机网版漏浆，造成台面上有残余浆料而污染到被扩散面。 品质影响分析：此失效片为Rsh档失效片，其EL测试图如图1；中间黑色区域为粘AL浆较多而导致的烧结不良， 在黑色区域周边呈雾状的为AL浆污染所致。 电性影响：以本片测试数据为例， Uoc：0.6