02TFTLCD生产工艺简介.ppt

Ask Question * * * 致力于推动我国TFT-LCD产业发展！ 目 录 总体工艺流程简介 Array（阵列）工艺流程简介 Color Filter（彩膜）工艺流程简介 Cell（成盒）工艺流程简介 Module（模组）工艺流程简介 1. 总体工艺流程简介 CELL MODULE …. ARRAY + + 自製/外购 PECVD/Sputter [film] Lithography [Glass] [PR] 曝光 [Mask] [阵列基板] 阵列 显影 蚀刻 剥离 成膜 清洗 PECVD（成膜） Sputter（成膜） 曝 光 显 影 刻蚀(湿刻) 刻蚀(干刻) ＴＦＴ检查 4～5次 反复 光刻胶剥离 退火 光刻胶涂布 成膜前洗浄 2. Array（阵列）工艺流程简介 成膜5次 做图形5次 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si Drain Source Passivation ITO 1 栅极 (Gate) 栅极金属层 第一层膜 栅极图形 第一次图形 2 半导体 (栅极绝缘层/a-Si/n+a-Si) 半导体层 第二层膜 半导体图形 第二次图形 3 源漏(Source /Drain) 源漏金属层 第三层膜 源漏极图形 第三次图形 沟道 沟道 4 接触孔 绝缘层 第四层膜 接触孔图形 第四次图形 5 透明电极 (ITO) 透明电极层 第五层膜 透明电极图形 第五次图形 2. Array（阵列）工艺流程简介 栅极层：第一次成膜(Mo/Al) 第一次图形(第一张Mask) Glass 2. Array（阵列）工艺流程简介 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si 半导体层 ：第二次成膜(SiNx/a-Si/n+a-Si) 第二次图形(第二张Mask) 2. Array（阵列）工艺流程简介 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si Drain Source 源漏极层 ：第三次成膜(Mo/Al/Mo) 第三次图形(第三张Mask) 2. Array（阵列）工艺流程简介 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si Drain Source 形成沟道 ：无成膜、无图形， 但需要进行蚀刻 2. Array（阵列）工艺流程简介 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si Drain Source Passivation 形成接触孔 ：第四次成膜(SiNx) 第四次图形(第四张Mask) 2. Array（阵列）工艺流程简介 Glass Gate Gate Insulator a-Si n+ a-Si Drain Source Passivation ITO 透明电极 ：第五次成膜(ITO) 第五次图形(第五张Mask) 2. Array（阵列）工艺流程简介 PEP1 PEP2 PEP3 PEP4 PEP5 2. Array（阵列）工艺流程简介 Layer Material Film Depo. PEP1 AlNd Sputter Mo PEP2 3 layer g-SiNx PECVD α-Si N+ α-Si PEP3 Mo/Al/Mo Sputter PEP4 PV-SiNx PECVD PEP5 ITO Sputter 2. Array（阵列）工艺流程简介 ITO C/S OC GLASS G R B 3. Color Filter（彩膜）工艺流程简介 Process A Process A Process A Process A Process B 沉积 / 模型工程详图 (Deposition Patterning Process in Detail) B 检查 (Inspection) PR涂布 (PR Coating) 曝光 (Exposure) 显像 (Develop) BM/BGR/PSL单位工程图 Process A Process C 清洗 (Cleaning) SUBSTRATE Al DC Al Al Al Al Ar+ Al Ar+ TARGET SPUTTER 沉积 (Deposition) ITO 单位工程图 检查 (Inspection) 检查 (Inspection) PR涂布 (PR Coating) OCL 单位