第四章发射系统（课件）.ppt

通信电子线路 东南大学射频与光电集成电路研究所 发射系统框图 射频功率放大器 RFPA的特点： 指标与以前的 放大器不同：输出功率P0 、电源供给功率PD 、管耗PT 。以及失真、电路尺寸和重量（包括散热片） 对功率管的要求高：最大击穿电压、最大集电极电流、最大管耗及最高工作频率等 多级功放的级间匹配网络设计计算； 射频功率放大器指标 输出功率P0 :功率放大器能够向负载提供的最大交流功率。 效率和功率附加效率(Power Added Efficiency, PAE):功放将电源的直流功率转化成交流信号功率输出，只有一部分直流功率被转化成有用的信号功率并为负载所获得，另一部分被放大器本身以及电路中的寄生元件所消耗 η＝PL/PD, PAE=(PL-Pin)/PD=η(1-1/G) 管耗：放大器本身所消耗的能量PT=PD-P0 在确保晶体管安全运用情况下，获得尽可能大的输出功率、尽可能高的效率、尽可能小的非线性失真。 功率晶体管的要求 功率放大器的分类 功率放大器的分类 根据功放管导通时间的长短 甲类（A类） 功率放大器的分类 功率放大器的分类 功率放大器的分类 功率放大器的分类 开关型功率放大 为进一步提高效率，要求功率管处于开关状态。 双管D类功放。 单管E类功放。 功率放大器的分类 RF PA的工作状态和效率 A 类 RF PA A类功放输出信号为输入信号的线性函数，故又称为 线性功率放大器。 A 类 RF PA A 类 RF PA 交流负载线：vce=-RLic (1) vCE=VCEQ+vce; iC=ICQ+ic (2) 故(1)式改写为： vCE-VCEQ= -RL(iC-ICQ) 功率管的集射极间交直流总电压为： A 类 RF PA 输入正弦信号时： iC=ICQ+Icmsinωt vCE=VCEQ-Vcmsinωt Vcm=Icm×RL 输出功率： 静态功耗： 管耗功率： 效率： A 类 RF PA A 类 RF PA 考虑到功率管饱和压降VCE(sat)和反向饱和电流ICEO的影响 A 类 RF PA A 类 RF PA 显然，为保持功率管安全工作，它们都必需小于管子的极限参数： A 类 RF PA A 类 RF PA B类RF PA B 类RF PA B类功放实现不失真放大的方法： 用LC并联回路选频： 选出基频——同频放大 选出谐波——倍频放大 采用双管推挽工作，类似于低频乙类 互补推挽(push-pull)功放。 B 类RF PA B 类RFPA 工作波形 B 类 RF PA的工作效率 B类功放 最大输出功率： C类 RFPA C类RFPA工作特点： C类RFPA 效率与导通角的关系如下图所示。 C类RFPA C类功放又称为谐振功率放大器。 C类功放的负载一般是阻抗性的，匹配网络是谐振电路。 输出信号中，除含有有用输入信号成分外，还含有输入信号的各次谐波、交叉调制成分，寄生干扰成分。 C类功放放大器一般只适于放大单频信号或等幅已调信号。 A、B、AB和C类功放小结 功率管处放大工作状态 线性功放(A)和非线性功放(B,C) 线性功放适用于调幅模拟信号放大 导通角： A: θ= 1800 B: θ= 900 AB: 900θ 1800 C: θ900 D类RFPA 从A类、B类到C类放大器是采取减小电流流通角的方法提高放大器的效率 D类RFPA 功率管工作在开关状态即D类，类似于A类功放工作在方波信号时，达到高效 导通时，vCE=0，饱和导通 截止时，iC=0，充分截止 D类和E类放大器是电流导通角固定为90?，采用尽量降低放大器件耗散功率的方法来提高功率放大器的效率。 D类RFPA 原理图 电路特点 T1 T2 均为NEMOSFET，交替导通，开关工作 NEMOSFET的导通电阻Ron很小。 输入变压器起倒相激励作用。 输出端与负载RL间接入一个高Q值LC串联谐掁回路。 D类RFPA 激励信号 vi 是一个重复频率为 f0 的方波，或是幅度足够大的正弦波。 激励信号通过变压器 Tr1，在两次级线圈产生极性相反的推动电压 vg1 和 vg2 ，它们分别使晶体管 T1 和 T2 依次处于饱和或截止状态。 在激励信号的正半周，T1饱和，T2 截止，于是电源电压 VCC 通过开关向 RLC 组成的串联回路充电，并使 A 点的电压提高到 VA = VDD - VDS 。 在激励信号的负半周，将为 T2 饱和，T1 截止，储存在 LC 的能量通过 T2 放电，并使