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* * * * * * * * * * * 由模拟电子线路中负反馈的自激振荡问题,到此处正反馈的信号发生。 * * * * * * * * * * * 由模拟电子线路中负反馈的自激振荡问题,到此处正反馈的信号发生。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 左图同名端不明,以右图为准。 * * * * * * 图 7.8.5 泛音晶体振荡器 交流等效电路 若泛音晶体的标称泛音次数为5,相应的标称频率为5MHz,则LC谐振回路应调谐在3~5次泛音频率之间,如3.5MHz。在5MHz, LC谐振回路呈容性,满足相位平衡条件。 而对于基频和3次泛音频率来说,回路呈感性,振荡器不满足相位平衡条件,不能产生振荡。而对于7次及其以上的泛音频率,回路呈容性,但其电容量过大,负载阻抗过小,以致电压增益下降太多,不能起振。 负阻振荡器是把一个呈现负阻特性的有源器件直接与谐振回路相接,以产生等幅振荡。 图 7.9.1 正、负电阻的概念 R上的电位降方向与电流方向相同,呈正电阻性,故此电阻相当于电动机作用,它从外界电源吸收功率。若R上的电位升方向与电流方向相同,呈负电阻性,故此负电阻相当于发电机作用,它不但不消耗功率,反而向外界输出功率。注意,以上针对交流电阻。 具有负阻的器件有两大类:电压控制型负阻和电流控制 型负阻。 图 7.9.2 负阻特性曲线的类型 负阻振荡电路也有两种基本类型,即串联型负阻振荡器线路和并联型负阻振荡器线路。 图 7.9.4 负阻振荡器原理电路 图 7.9.5 隧道二极管负阻振荡器 举例: 特点:适用于较高的工作频段(可在100 MHz至10GHz波 段内)。 优点:噪声低,对温度变化、核辐射均不敏感,电路简单, 体积小和成本低等。 缺点:输出功率和电压都较低;在电路中使用起来不如反馈 式振荡器方便;频率稳定和幅度稳定都不及反馈式振荡器。 7.10.1 寄生振荡现象 7.10.2 自偏压建立过程与间歇振荡现象 放大器工作不稳定 被传输的信号产生失真 引起晶体管的PN结被击穿或瞬时损坏 1. 寄生振荡的危害 放大器中,即使没有输入信号,也有交流输出。这叫做产生了寄生振荡。 1)反馈型寄生振荡 2. 寄生振荡的类型及产生原因 由放大器的输出与输入间各种寄生反馈引起的。 A. 外部反馈: 主要是通过多级放大器的公共电源内阻、馈线或元件的寄生耦合以及输入端与输出端的空间电磁场的耦合引起的。 B. 内部反馈: 晶体管的极间电容产生的。 图 7.10.1 晶体管高频功率放大器由内反馈产生寄生振荡的等效电路 2)负阻型寄生振荡 2. 寄生振荡的类型及产生原因 直接由器件的负阻现象产生的寄生振荡,主要有雪崩负阻振荡和过压负阻振荡两种。 A. 雪崩负阻振荡:晶体管工作进入雪崩击穿区,这种寄生振荡一般只在信号的负半周才出现。 B. 过压负阻振荡: 晶体管工作于过压状态,它一般在信号的正半周出现。 3. 寄生振荡的排除和防止措施 图 7.10.2 晶体管高频功率放大器的各种稳定措施 1. 间歇振荡 指振荡器工作时,时而振荡,时而停振的一种现象。这一现象产生的原因来自振荡器的自偏压电路参数选择不当。 图 7.10.5 间歇振荡时的振荡电压波形 2. 自偏压的建立过程 图 7.10.3 电容三端振荡 器的自偏置电路 由于Re上的直流压降是由发射极电流IE建立的,而且随 IE变化而变化,故称为自偏压。 图 7.10.3 电容三端振荡 器的自偏置电路 1) 反馈电压正半周 2) 反馈电压负半周 起振过程中,输出信号越来越大,反馈信号也随之增强。 射极电流对射极电容充电 射极电容对射极电阻放电 充、放电节奏合适,实现增幅到稳幅。 图 7.10.4 自偏振荡器起振时激励电压和 直流偏压的建立过程 3. 频率占据(或牵引) 指外加电动势频率与振荡器自激频率接近到一定程度时,可以使振荡频率随外电动势频率的改变而改变。 4. 频率拖曳现象 发生于振荡器电路采用耦合回路时,如耦合系数过大,次级又是谐振回路,则调节次级回路时,振荡回路频率也随之改变,甚至产生频率跳变。 图 7.11.1 互感耦合差分对振荡器 (+) (+) (+) 图 7.11.3 E1648内部电路 (+) (-) (-) (-) 偏置电路 差分放大 差分放大 CE-CB放大 图 7.11.4 E1648构成的高频振荡电路 7.12.1 RC相移振荡

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