cvd化学与薄膜工艺315.pptxVIP

1 CH.4. CVD淀积过程的热力学 化学气相淀积过程的热力学: 回答该CVD系统为什么能形成目标产物, 目标产物随淀积参数的变化关系 所谓热力学分析就是运用热化学平衡计算，估算淀积系统中与某特定组分的固相处于平衡的气态物种的分压值，用以预言淀积的程度和各种反应参数对淀积过程的影响。对于非动力学控制的过程，热力学分析可以定量描述淀积速率和淀积层组成，这有助于了解淀积机制和选择最佳条件。 4.1 一般考虑 4.1.1热力学分析的前提和步骤 4.1.2 热力学资料 4.1.3 固体的活度 4.2开管气流系统 4.3封管系统 4.4实验研究技术 2 在气态输运一章里，我们导出了质量输运控制的过程速率表达式。其中，源区和淀积区(j)各组分i的平衡分压值 的求算，是热力学分析的任务。封管过程的热力学处理，仍根据前述的假定（前提）。 封管系统往往用于半导体的气相生长或金属的精制。卤素，其中碘是常用的输运剂，所以我们以GaAsI2系统为例介绍这类体系处理的一般方法。 4.3 封管系统 3 GaAs- I2系统的热力学分析 GaAs-I2系统在650～700℃范围内主要气体分子是GaI、GaI3、I2、As4 (此处As2可以忽略)。按前述的假定(1)，源区和淀积区有如下化学平衡： （3.45） （3.46） 4 GaAsI2系统的热力学