cvd化学与薄膜工艺223.pptxVIP

Ch.3 化学气相淀积系统中的质量输运 － 原理和和技术;;气相外延砷化镓单晶薄膜;;SiHCl3+H2=Si+3HCl ;;Low-Pressure CVD System;Plasma-Enhanced CVD;ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance);PECVD (plasma enhanced CVD);LPCVD (low pressure CVD);CVD反应器设计;Ch.3 化学气相淀积系统中的质量输运 － 原理和和技术;3。2 气体的一些性质－(1)气态方程;3。2 气体的一些性质－(2)输运性质（η）;3。2 气体的一些性质－(2)输运性质（η）;3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3。2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3。3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态;这种情况也为在重掺杂的锗片上外延硅时的自掺杂效应所证实，如图2-1所示。由于基座前端10～15厘米处形成紊流，衬底中施主杂质被卷人气流，比较难于再回到外延层中，所以此段外延层呈现高阻。;3。3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态;3。3开管气