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特高压GIS中隔离开关操作引起电磁暂态问题研究分析 　　【摘 要】特高压GIS中产生的电磁暂态的问题对于目前的特高压电站建设具有十分大的影响，特高压电站的安全性、可行性和操作性等多方面都需迫切解决电磁暂态问题。在气体绝缘变电站既GIS中隔离开关操作过程中对于电磁暂态现象的引发时有发生，尤其随着电压的不断大幅度增加其内部的绝缘问题和二次干扰现象也随之增加，其严重影响高压电站的安全。研究并分析特高压系统下的气体绝缘变电站中隔离开关的操作引起的电磁暂态问题是目前特高压电站建设的首要问题，其对于电站建设的安全性和实际操作方面都有重要的意义。 　　【关键词】气体绝缘变电站；隔离开关；电磁暂态 　　特高压GIS中隔离开关操作引起的电磁暂态问题主要有两个方面，一方面其电磁暂态现象发生于GIS的内部，其主要是影响GIS内部设备绝缘方面的快速暂态过电压既VFTO，另一方面是在GIS的壳体和大地之间产生电磁暂态，其使得暂态的壳体电位升高既TEV，对GIS的二次设备外部过电压受到影响。因此目前主要解决影响VFTO和TEV两方面的问题，目前的研究手段主要通过计算机仿真手段，对隔离开关投切电阻的热容问题、操作速度和VETO的影响等方面进行探究。 　　1 特高压GIS的VFTO和TEV的相关研究和产生机理 　　1.1 VFTO和TEV的研究现状 　　目前对于VFTO和TEV的研究，国内外都正处于研究的初期，研究了历史也不长。最早是由美国开始对其进行相关的性能方面的研究，其后我国跟着展开了相关机理的研究，并结合特高压GIS隔离开关操作进行具体引起电磁暂态问题的实际案例的分析。目前对于特高压GIS中隔离开关操作引起的电磁暂态问题的研究手段主要是通过计算机的相应仿真操作和具体的数值测量来进行。德国曾先后通过同轴电缆和示波器采集等技术对VFTO进行具体的测量，但是由于电容的干扰和其他多方面原因，导致数据不够准确。其后我国国家电网公司、中国电力科学院等多家组织进行合作，通过实测和仿真研究对VFTO和TEV进行了测量，提高了测量数据的准确性。目前我国在VFTO和TEV上的研究较为先进。 　　1.2 VFTO和TEV的产生机理 　　在特高压GIS中隔离开关操作引起的电磁暂态问题中，VFTO和TEV的产生机理主要是由于GIS快速暂态现象，其来源包括两种，一种是对隔离开关和断路器的操作，一种是由于现场试验或运行时的接地故障导致的，接地故障主要产生TEV的问题。电磁暂态问题包括GIS的内部暂态和外部暂态现象，内部暂态的机理一种包括TRV作用于内部导体和壳体，另一种作用为VFTO的作用。这两种通过内部快速暂态产生的问题主要导致GIS内部设备的危害。GIS外部暂态包括三点，第一点是外壳电压瞬变过程，这种主要是由于TEV作用于外壳和地壳之间引起的，会危害二次设备。第二种是由于TEMF由外壳向外辐射，导致电磁瞬变过程，也会产生二次设备的危害，第三种是由于FTOGIS外部一次设备产生的外部暂态过程，危害GIS相邻设备。这些因素都会导致特高压GIS中的电磁暂态问题，因此要在设置和操作中及时发现问题，以防危险的发生。 　　2 隔离开关的操作对于VFTO的影响 　　2.1 隔离开关的投切电阻对VFTO的影响 　　隔离开关投切电阻在不同取值的情况下VFTO的极值也程不同的变化趋势，根据相关研究表面在电阻在500Ω时为最适的投切电阻值，其VFTO幅值变化相对稳定。对比于不带投切电阻的情况，对于GIS本体的VFTO最高值有所下降，这就使得VFTO通过幅值对于设备的危害有所下降。但是根据VFTO的特性其陡度和频率对于设备也有所影响，根据研究表面投切电阻对于频率的影响不大，因此投切电阻在隔离开关的装置设备上可以有效地对VFTO的幅值下降减少电磁暂态的现象发生。在操作安全上起到一定的保护措施。但是目前根据综合因素考虑，投切电阻在隔离开关的设备安装上还有待考量，由于投切电阻装置时会在原因结构和重量上进行相应的改变，增加隔离开关的体积，使得其内部结构更加复杂，因此其在安全上的影响上有待研究，并且根据电站中实际操作因素，如隔离开关的操作速度和电阻热容问题上的考虑，其在设计时也要对自身的耗能进行相关的要求，因此投切电阻在隔离开关上的应用其研究有上升的空间。 　　2.2 隔离开关的操作速度对VFTO的影响 　　隔离开关的操作速度一直是影响VFTO的一个重要因素，其对于VFTO的出现和幅值的相关数据都有一定得影响。目前的由于隔离开关的操作速度影响诸多的因素，不仅在重击穿次数上有一定的影响，其对于电弧弧值上也会产生相应的改变，因此目前对于隔离开关操作速度上对于VFTO有两种说法，一种是操作速度慢较安全，一种是以东芝为主的操作速度快较为安全。在数据研究上，我国的仿真数据研究表明，根据VFT