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硅通孔互连技术开发与应用 　　摘要：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。本文叙述了几种硅通孔互连的制造方法，及其应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。 　　关键词：硅通孔互连；三维封装；MEMS封装 　　 　　1. 引言 　　 　　近年来，计算机、通讯、汽车电子、航空航天工业和其他消费类产品对微电子封装提出了更高的要求，即更小、更薄、更轻、高可靠、多功能、低功耗和低成本。这促使更高密度的三维叠层封装技术不断涌现出来。三维叠层封装可以分为封装体的堆叠和硅圆片的堆叠两种。目前，封装体的堆叠技术可以通过堆叠薄小外形封装（TSOP）或堆叠基于传统封装技术的芯片尺寸封装（CSP）来获得；然而，芯片之间较长的互连线限制了封装体三维堆叠的高频性能。另一种三维堆叠技术是基于圆片制造技术的硅圆片的堆叠。这种技术通过在圆片上制作出许多垂直互连通孔来实现不同芯片之间的电互连；由于芯片间有更短的互连线，所以圆片级三维集成能最小化互连线的延迟。此外，由于相当数量的MEMS器件都带有立体结构，所以气密性封装应是其最佳的封装形式；但普通的气密性封装不仅成本高，而且对于MEMS器件的信号线也较难引出；为此，以硅圆片作为MEMS封装的封帽，并在其上制作出垂直互连通孔作为信号线的引出方式能较好的解决这一问题；并能为MEMS提供圆片级的封装和更好的频率特性。从以上三维堆叠封装和MEMS封装的发展趋势可以看出，硅通孔互连技术的应用正在不断的拓展【1】。 　　 　　2. 硅通孔互连制作技术及其应用 　　 　　目前主要有四种不同的硅通孔互连制作技术：KOH溶液的湿法刻蚀、激光加工、深层等离子体刻蚀（DRIE）和光辅助电化学刻蚀（PAECE）。不同的方法各有其特点，因此必须根据不同的应用使用不同的方法，以使成本和性能达到最优。 　　 　　2.1 KOH溶液的湿法刻蚀 　　KOH溶液的湿法刻蚀是一种低刻蚀温度、低制造成本且适合于批量生产的硅通孔制作工艺。对于K+与标准CMOS工艺不兼容的问题，可以通过采用PECVD淀积Si3N4、溅射TiW/Au并电镀Au做为刻蚀工艺的保护层来保护CMOS电路，从而实现该工艺与标准CMOS工艺兼容【2】。由于KOH溶液对硅单晶的各向异性腐蚀特性，且（111）晶面与（100）晶面间的夹角为54.74°；所以硅通孔的表面上窗口宽度Wa＝Wb+2Lcot54.74°，其中Wb为底平面的宽度，L为腐蚀深度，其结构示意图见图1。因此，其制作的硅通孔为非垂直的且宽度较大，只能满足低到中等引出端数封装的要求。 　　 　　图1 KOH各向异性腐蚀结构示意图 　　由Technical University of Denmark开发的，用KOH湿法刻蚀制作硅通孔的工艺【3】就使用Si3N4和TiW/Au的复合层作为湿法刻蚀的保护层，KOH溶液的浓度为25％、刻蚀温度为80℃、刻蚀速率为1.25μm/min，通孔内的互连层依次为SiO2、TiW/Au、Cu和Ni，其中Ni作为互连线的保护层和焊区基层金属（UBM，Under Bump Metal）使用。其开发的硅通孔互连的体电阻为40mΩ、对硅衬底的寄生电容为2.5pF，被设计应用于高端便携式产品的三维封装中，该产品要求每个芯片上有7个硅通孔互连即可满足要求；因此，对于低、中引出端数的封装，此项工艺能够达到成本、性能的最优化。 　　 　　2.2 激光加工 　　激光加工制作硅通孔的技术，由于其局部对准的能力（使用局部对准标记）而无需掩模就能精确定位硅通孔的位置，所以其成本较深层等离子体刻蚀工艺（DRIE）要低；且其硅通孔可达较高的纵深比。但由于激光加工主要是依靠熔融硅而产生的通孔，所以通孔内壁的粗糙度和热损伤较高。 　　图2是台面MOS功率器件倒装芯片封装的示意图【4】，其主要制作的工艺步骤包括：用激光加工的方法在圆片的划片槽内制作硅通孔，通孔内的互连金属层依次为Si3N4、Ti和Cu，同时在互连线的外层应有Ni/Au或Sn做为防止氧化的保护层。最后将从背面导出的漏电极与正面的栅极和源极进行再布线，以完成倒装芯片。最终，采用倒装芯片技术实现的芯片尺寸封装的功率MOS器件的体积仅是采用传统小外形封装的30％，且器件的电性能大为提高，反应速度加快。 　　 　　图2 台面MOS功率器件圆片级CSP封装示意图 　　 　　2.3 深层等离子体刻蚀工艺（DRIE） 　　深层等离子体刻蚀工艺（DRIE）能制作出孔径小（5μm）、纵深比高的垂直硅通孔，且与IC工艺兼容；与其它制造工艺相比，其制作的通孔内壁平滑，对硅片的机械及物理损伤最小，是制作硅